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电阻 AXIAL 无极性电容 RB- 电位器 DIODE 三极管78和TO－TO-126V 场效应管 D－37 D－CON SIP 双列直插元件 XTAL1 电阻：RES2，RES4；封装属性为 无极性电容：RAD-0.1到electroi;封装属性为rb.5/1.0 电位器：vr-1到 封装属性为diode-0.7(大功率） 常见的封装属性为to-22(大功率三极管） 顿管） 78和78系列如7812， 79系列有7912， 常见的封装属性有to126v 整流桥：D系列（D-37， 电阻：0.4-0.7指电阻的长度，一般用RAD0.1-RAD0.3。 其中RAD0.1 电解电容：.1/.2-.4/.8指电容大小。一般RB.1/.2,100uF-470uF用RB.3/.6 二极管： 0.4-0.7指二极管长短，一般用RB.1/.2 集成块： 8－8脚的就是 0603表示的是封装尺寸 与具体阻值没有关系 但封装尺寸与功率有关 通常来说 0201 1/20W 0402 1/16W 0603 1/10W 0805 1/8W 1206 1/4W 电容电阻外形尺寸与封装的对应关系是: 0402=1.0x0.5 0603=1.6x0.8 0805=2.0x1.2 1206=3.2x1.6 1210=3.2x2.5 1812=4.5x3.2 2225=5.6x6.5 关于零件封装我们在前面说过，除了LIB库中的元件外，其它库的元件都已经有了 固定的元件封装，这是因为这个库中的元件都有多种形式：以晶体管为例说明一下： 晶体管是我们常用的的元件之一，在DEVICE。NPN与PNP之分，但 实际上，如果它是NPN的TO—3，如果它是2N3054，则有 可能是铁壳的TO-66或CS9013，有TO-92B，还有TO-46，TO-5 2等等，千变万化。 还有一个就是电阻，在DEVICE库中，它也是简单地把它们称为RES2，不管它是100Ω 还是470KΩ都一样，对电路板而言，它与欧姆数根本不相关，完全是按该电阻的功率数来决 定的我们选用的1/4W和甚至AXIAL0.3元件封装，而功率数大一点的话 ，可用AXIAL0.4,AXIAL0.5等等。现将常用的元件封装整理如下： 电阻类及无极性双端元件 AXIAL0.3-AXIAL1.0 无极性电容 RAD0.1-RAD0.4 有极性电容 RB.2/.4-RB.5/1.0 二极管 DIODE0.4及 DIODE0.7 石英晶体振荡器 XTAL1 晶体管、FET、UJT TO-xxx(TO-3,TO-5) 可变电阻（POT1、VR1-VR5 当然，我们也可以打开C:\Client98\PCB98\library\advpcb.lib库来查找所用零件的对应封 装。 这些常用的元件封装，大家最好能把它背下来，这些元件封装，大家可以把它拆分成两部分 来记如电阻AXIAL0.3可拆成0.3，0.3则是该电阻在印 刷电路板上的焊盘间的距离也就是300mil（因为在电机领域里，是以英制单位为主的。同样 的，对于无极性的电容，RAD0.1-RAD0.4也是一样；对有极性的电容如电解电容，其封装为R B.2/.4，“.2”为焊盘间距，“.4”为电容圆筒的外径。 对于晶体管，那就直接看它的外形及功率，大功率的晶体管，就用TO—3，中功率的晶体管 ，如果是扁平的，就用TO-220，如果是金属壳的，就用TO-5 ，TO-46，TO-92A等都可以，反正它的管脚也长，弯一下也可以。 对于常用的集成IC电路，有DIP8就是双排，每排有4个引 脚，两排间距离是300mil,焊盘间的距离是SIPxx就是单排的封装。等等。 值得我们注意的是晶体管与可变电阻，它们的包装才是最令人头痛的，同样的包装，其管脚 可不一定一样。例如，对于TO-92B之类的包装，通常是E（发射极），而2脚有可能是 B极（基极），也可能是3脚有可能是B，具体是那个 ，只有拿到了元件才能确定。因此，电路软件不敢硬性定义焊盘名称（管脚名称），同样的 ，场效应管，MOS管也可以用跟晶体管一样的封装，它可以通用于三个引脚的元件。 Q1-B，在PCB里，加载这种网络表的时候，就会找不到节点（对不上）。 在可变电阻上也同样会出现类似的问题；在原理图中，可变电阻的管脚分别为1、2， 所产生的网络表，就是1、W，在1，3。当电路中有这两种元 件时，就要修改PCB与SCH之间的差异最快的方法是在产生网络表后，直接在网络表中，将晶 体管管脚改为1，3；将可变电阻的改成与电路板元件外形一样的2，3即可。 大的来说,元件有插装和贴装. 01． 02． 03． 04． 05． 06． 07． 08． 09．J形线封装 SOP 小外形外壳封装 TQFP 扁平簿片方形封装 TSOP 微型簿片式封装 CBGA 陶瓷焊球阵列封装 CPGA 陶瓷针栅阵列封装 CQFP 陶瓷四边引线扁平 CERDIP 陶瓷熔封双列 PBGA 塑料焊球阵列封装 SSOP 窄间距小外型塑封 WLCSP 晶圆片级芯片规模封装 FCOB 板上倒装片 .因此不同的元件可共用同一零件封装，同种元件也可有不同的零件封装。像电阻，有传统的针插式，这种元件体积较大，电路板必须钻孔才能安置元件，完成钻孔后，插入元件，再过锡炉或喷锡（也可手焊），成本较高，较新的设计都是采用体积小的表面贴片式元件（SMD元件放上，即可焊接在电路板上了。 CDIP-----Ceramic Dual In-Line Package CLCC-----Ceramic Leaded Chip Carrier CQFP-----Ceramic Quad Flat Pack DIP-----Dual In-Line Package LQFP-----Low-Profile Quad Flat Pack MAPBGA------Mold Array Process Ball Grid Array PBGA-----Plastic Ball Grid Array PLCC-----Plastic Leaded Chip Carrier PQFP-----Plastic Quad Flat Pack QFP-----Quad Flat Pack SDIP-----Shrink Dual In-Line Package SOIC-----Small Outline Integrated Package SSOP-----Shrink Small Outline Package DIP-----Dual In-Line Package-----双列直插式封装。插装型封装之一，引脚从封装两侧引出，封装材料有塑料和陶瓷两种。IC，存贮器 PLCC-----Plastic Leaded Chip Carrier-----PLCC封装方式，外形呈正方形，DIP封装小得多。SMT表面安装技术在 PQFP-----Plastic Quad Flat Package-----PQFP封装的芯片引脚之间距离很小，管脚很细，一般大规模或超大规模集成电路采用这种封装形式，其引脚数一般都在 SOP-----Small Outline Package------1968～SOP）。以后逐渐派生出J型引脚小外形封装）、VSOP（甚小外形封装）、SOP）、SOP）及SOIC（小外形集成电路）等。 常见的封装材料有：塑料、陶瓷、玻璃、金属等，现在基本采用塑料封装。 按封装形式分：普通双列直插式，普通单列直插式，小型双列扁平，小型四列扁平，圆形金属，体积较大的厚膜电路等。 按封装体积大小排列分：最大为厚膜电路，其次分别为双列直插式，单列直插式，金属封装、双列扁平、四列扁平为最小。 两引脚之间的间距分：普通标准型塑料封装，双列、单列直插式一般多为2.54±0.25 mm，其次有1.778±0.25mm（多见于缩型双列直插式）、1.27±0.25mm(多见于单列附散热片或单列)、)、)、0.15mm(多见于四列扁平封装0.65±0.03mm(多见于四列扁平封装)。 双列直插式两列引脚之间的宽度分：一般有7.4～10.16mm、15.24mm等数种。 双列扁平封装两列之间的宽度分（包括引线长度：一般有6～7.6mm、10.65mm等。 四列扁平封装40引脚以上的长10×10mm(不计引线长度13.6×13.6±0.4mm(包括引线长度20.6×20.6±0.4mm(包括引线长度8.45×8.45±0.5mm(不计引线长度14×14±0.15mm（不计引线长度）等。 引脚插入式封装(PWB)中，再由浸锡法进行波峰焊接，以实现电路连接和机械固定。由于引脚直径和间距都不能太细，故印刷电路板上的通孔直径，间距乃至布线都不能太细，而且它只用到印刷电路板的一面，从而难以实现高密度封装。它又可分为引脚在一端的封装(Double ended)禾口弓9矩正封装 引脚在一端的封装(Single In-line Package)。 (Double ended)又可分为双列直插式封装， 双列直插式封装Dual In-line Package)。它是70年代的封装形式，首先是陶瓷多层板作载体的封装问世，后来Fairchild开发出塑料封装。绝大多数中小规模集成电路均采用这种封装形式，其引脚数一般不超过DIP封装的芯片有两排引脚，分布于两侧，且成直线平行布置，引脚直径和间距为54 mm(100 mil)，需要插入到具有(1)适合在印刷电路板(2)芯片面积与封装面积之间的比值较大，故体积也较大；PWB上通孔直径、间距以及布线间距都不能太细，故此种PKG难以实现高密度封装，且每年都在衰退。 .：DIP并无实质上的区别，只是引脚呈2．Z形双列直插式封装ZIP外形一样，只是用陶瓷材料封装。 (SKDIP：DIP相同，但引脚中心距为778 mm(70 mil)小于54mm)，引脚数一般不超过 引脚矩正封装DIP的基础上，为适应高速度，多引脚化)而出现的。此封装的引脚不是单排或双排，而是在整个平面呈矩正排布，如图DIP相比，在不增加引脚间距的情况下，可以按近似平方的关系提高引脚数。根据引脚数目的多少，可以围成5圈，其引脚的间距为54 mm，引脚数量从几十到几百个。(1)插拔操作更方便，可靠性高；(3)如采用导热性良好的陶瓷基板，还可适应高速度．大功率器件要求；(5)如用陶瓷基板，价格又相对较高，因此多用于较为特殊的用途。它又分为陈列引脚型和表面贴装型两种。 有机管引脚矩正式封装OPGA封装拉近了外部电容和处理器内核的距离，可以更好地改善内核供电和过滤电流杂波。 (SOP) 表面贴片封装PCB电路板设计的难度，同时它也大大降低了其本身的尺寸。我们需要将引脚插片封装的集成电路插入PCB中根据集成电路的引脚尺寸PCB板的一面，同时在PCB上以形成电路的连接，所以这就消耗了PCB板而言，需要在设计时在每一层将需要专孔的地方腾出。而表面贴片封装的集成电路只须将它放置在PCB电路板设计的难度。表面贴片封装的主要优点是降低其本身的尺寸，从而加大了：IC的密集度。用这种方法焊上去的芯片，如果不用专用工具是很难拆卸下来的。表面贴片封装根据引脚所处的位置可分为：)、)、)、)、)及其它。 )：此封装型式的特点是引脚全部在一边，而且引脚的数量通常比较少，如图(Therinal-enhanced)，象常用的功率三极管，只有三个引脚排成一排，其上面有一个大的散热片；(现有的用)，再经过颦料包封而成，它的特点是轻而且很薄，所以当前被广泛用在液晶显示器LCD分辨率增加的需要。其缺点是Film的价格很贵，其二是贴片机的价格也很贵。 Dual(引脚在两边3所示。此封装型式的特点是引脚全部在两边，而且引脚的数量不算多。它的封装型式比较多，义可细分为：SOP(Small Outline Package)、SS()P(Shrink Small 0utline Package)、HSOP(Heat-sink Small Outline Package)及其它。 SOT系列主要有SOT-223、SOT-26、SOT-89等。当电子产品尺寸不断缩小时，其内部使用的半导体器件也必须变小。所以更小的半导体器件使得电子产品能够更小、更轻、更便携，相同尺寸包含的功能更多。对于半导体器件，其价值最好的体现在：PCB上更紧凑地布局。PCB占用空间。如MP3等等。 (SOP：70年代就开发出小尺寸贴片封装SOJ(J型引脚小外形封装TSOP(薄小外形封装VSOP(甚小外形封装SS()P(缩小型TSSOP(薄的缩小型SOT(小外形晶体管SOIC(小外形集成电路SOP典型引线间距是27 mm，引脚数在几十之内。 (TSOP：20世纪TSOP封装，它与1 mm，是1／SDRAM内存芯片都是采用此封装方式。I／TSOP封装方式中，内存颗粒是通过芯片引脚焊在PCB板的接触面积较小，使得芯片向TSOP封装方式的内存在超过 表面贴片 球型矩正封装Ball Grid Array)，见图(CitiZell)公司于BGA的行列。其后摩托罗拉率先将球型矩正封装应用于移动电话，同年康柏公司也在工作站、个人计算机上加以应用，接着CPU中开始使用QFP不放而对BGA应用领域的扩展，对BGA封装经过十几年的发展已经进入实用化阶段，目前BGA已成为最热门封装。 随着集成电路技术的发展，对其封装要求越来越严格。这是因为封装关系到产品的性能，当100 MHz时，传统封装方式可能会产生所谓的交调噪声IC的管脚数大于QFP封装方式外，现今大多数的高脚数芯片皆转而使用BGA一出现便成为BGA封装的器件绝大多数用于手机、网络及通讯设备、数码相机、微机、笔记本计算机、 BGA封装的优点有：QFP，加上它有与电路图形的自动对准功能，从而提高了组装成品率；(3)封装本体厚度比普通1／3／(4)寄生参数减小，信号传输延迟小，使用频率大大提高； BGA封装的不足之处：QFP、BGA封装的翘曲问题是其主要缺陷，即锡球的共面性问题。共面性的标准是为了减小翘曲，提高 BGA封装按基板所用材料可分有机材料基板CBGA(CeramicB-GA)和基板为带状软质的FCBGA(FilpChipBGA)和中央有方型低陷的芯片区的PBGA基板：一般为4层有机材料构成的多层板，CPU中，III、CBGA基板是陶瓷基板，芯片与基板问的电气连接通常采用倒装芯片FCBGA；CPU中，II、TBGA基板为带状软质的2层 小型球型矩正封装BGA封装的区别在于它减少了芯片的面积，可以看成是超小型的BGA封装比却有三大进步：(2)囚为芯片与基板连接的路径更短，减小了电磁干扰的噪音，能适合更高的工作频率； 微型球型矩正封装BGA的改进版，封装本体呈正方形，占用面积更小、连接短、电气性能好、也不易受干扰，所以这种封装会带来更好的散热及超频性能，尤其适合工作于高频状态下的Direct RDRAM，但制造成本极高 | 
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