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STM32 FLASH 模拟EEPROM程序

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ID:389674 发表于 2020-2-21 09:53 | 显示全部楼层 |阅读模式
单片机源程序如下:
  1. #include "stmflash.h"
  2. #include "delay.h"




  7. //读取指定地址的半字(16位数据)
  8. //faddr:读地址(此地址必须为2的倍数!!)
  9. //返回值:对应数据.
  10. u16 STMFLASH_ReadHalfWord(u32 faddr)
  11. {
  12.         return *(vu16*)faddr;
  13. }
  14. #if STM32_FLASH_WREN        //如果使能了写   
  15. //不检查的写入
  16. //WriteAddr:起始地址
  17. //pBuffer:数据指针
  18. //NumToWrite:半字(16位)数   
  19. void STMFLASH_Write_NoCheck(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
  20. {                                           
  21.         u16 i;
  22.         for(i=0;i<NumToWrite;i++)
  23.         {
  24.                 FLASH_ProgramHalfWord(WriteAddr,pBuffer[i]);
  25.             WriteAddr+=2;//地址增加2.
  26.         }  
  27. }
  28. //从指定地址开始写入指定长度的数据
  29. //WriteAddr:起始地址(此地址必须为2的倍数!!)
  30. //pBuffer:数据指针
  31. //NumToWrite:半字(16位)数(就是要写入的16位数据的个数.)
  32. #if STM32_FLASH_SIZE<256
  33. #define STM_SECTOR_SIZE 1024 //字节
  34. #else
  35. #define STM_SECTOR_SIZE        2048
  36. #endif                 
  37. u16 STMFLASH_BUF[STM_SECTOR_SIZE/2];//最多是2K字节
  38. void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)       
  39. {
  40.         u32 secpos;           //扇区地址
  41.         u16 secoff;           //扇区内偏移地址(16位字计算)
  42.         u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)          
  43.         u16 i;   
  44.         u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
  45.         if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
  46.         FLASH_Unlock();                                                //解锁
  47.         offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE;                //实际偏移地址.
  48.         secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE;                        //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
  49.         secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2;                //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
  50.         secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff;                //扇区剩余空间大小   
  51.         if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
  52.         while(1)
  53.         {       
  54.                 STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
  55.                 for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
  56.                 {
  57.                         if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除            
  58.                 }
  59.                 if(i<secremain)//需要擦除
  60.                 {
  61.                         FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
  62.                         for(i=0;i<secremain;i++)//复制
  63.                         {
  64.                                 STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer[i];          
  65.                         }
  66.                         STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
  67.                 }else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.                                   
  68.                 if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
  69.                 else//写入未结束
  70.                 {
  71.                         secpos++;                                //扇区地址增1
  72.                         secoff=0;                                //偏移位置为0          
  73.                            pBuffer+=secremain;          //指针偏移
  74.                         WriteAddr+=secremain;        //写地址偏移          
  75.                            NumToWrite-=secremain;        //字节(16位)数递减
  76.                         if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
  77.                         else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
  78.                 }         
  79.         };       
  80.         FLASH_Lock();//上锁
  81. }
  82. #endif

  84. //从指定地址开始读出指定长度的数据
  85. //ReadAddr:起始地址
  86. //pBuffer:数据指针
  87. //NumToWrite:半字(16位)数
  88. void STMFLASH_Read(u32 ReadAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToRead)          
  89. {
  90.         u16 i;
  91.         for(i=0;i<NumToRead;i++)
  92.         {
  93.                 pBuffer[i]=STMFLASH_ReadHalfWord(ReadAddr);//读取2个字节.
  94.                 ReadAddr+=2;//偏移2个字节.       
  95.         }
  96. }

  98. //////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////////
  99. //WriteAddr:起始地址
  100. //WriteData:要写入的数据
  101. void Test_Write(u32 WriteAddr,u16 WriteData)          
  102. {
  103.         STMFLASH_Write(WriteAddr,&WriteData,1);//写入一个字
  104. }
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全部资料51hei下载地址：
FLASH模拟EEPROM实验.7z (180.62 KB, 下载次数: 61)

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ID:108573 发表于 2020-2-22 09:43 | 显示全部楼层
原理是先读出来flash中的数据，然后再擦除flash，然后再更改要写入的数据，最后再写入
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ID:670155 发表于 2021-1-5 16:50 | 显示全部楼层
这是正点原子的例程吧
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