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电磁场实验静电场边值问题研究

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楼主
ID:764061 发表于 2020-7-13 11:37 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
  • 实验目的:
    • 通过虚拟仿真,观察平行板电容器与加盖导体槽内部的电场分布。
    • 学习用模拟法测量静电场的方法。
    • 了解影响实验精度的因素。
  • 实验装置

被测模型有两个:一个用来模拟无边缘效应的平行板电容器中的电位分布;另一个用来模拟有金属盖的无限长接地槽形导体内电位分布。被模拟的平行板电容器,加盖槽形导体及它们对应的模型如图1所示。

   

图1

被测模型是在碳素导电纸上按所需的几何形状,尺寸制成如图1所示的金属“电极”。为保证各被测点位置,采用“网格板”来定位。该“网格板”是用透明塑料薄板,板上沿X、Y坐标轴每一厘米打一个小孔,这样就形成了一个正方形网格阵。

  • 实验原理:

对于复杂边界的静电场边值问题,用解析法求解很困难,甚至是不可能的。在实际求解过程中,直接求出静电场的分布或电位又很困难,其精度也难以保证。本实验根据静电场与恒定电流场的相似性,用碳素导电纸中形成的恒定电流场来模拟无源区域的二维静电场,从而测出边界比较复杂的无源区域静电场分布。

在静电场的无源区域中,电场强度电位移矢量及电位满足下列方程:

                            \* MERGEFORMAT (1)

式中为静电场的介电常数。

在恒定电流场中,电场强度、电流密度及电位满足下列方程:

                            \* MERGEFORMAT (2)

式中为恒定电流场中导电媒质的电导率。

因为方程组(1)与方程组(2)在形式上完全相似,所以(静电场中的电位分布函数)与(恒定电流场中的电位分布函数)应满足同样形式的微分方程。由方程组(1)和方程组(2)很容易求得:

                            \* MERGEFORMAT (3)

                            \* MERGEFORMAT (4)

式中处于相应的位置,它们为对偶量。

在所讨论区域为均匀分布(即其值与坐标无关),则方程(3)、(4)均可简化为拉普拉斯方程:

                            \* MERGEFORMAT (1.5)

                            \* MERGEFORMAT (1.6)

电位场解的唯一定理可知:满足相同微分方程的两个电位场,它们具有相同的边界电位值,因此,在保证边界电位值不变的情况下,我们可以用恒定电流场的模型来模拟无源区域的静电场,当静电场中媒质为均匀媒质时,其导电媒质也应为均匀媒质,这样测得的恒定电流场的电位分布就是被模拟的静电场的电位分布,不需要任何改动。

  • 实验内容:

Part A 虚拟仿真平行板电容器与加盖导体槽内的电位分布

使用Matlab或其它编程语言,编写程序,对被测模型的电位分布进行仿真。



    • 自选仿真软件,自行设定参数,建立模型,对平行板电容器的电位分布进行虚拟仿真,观察平行板电容器的电位分布趋势,并将仿真结果图记录到实验报告。
    • 自选仿真软件,自行设定参数,建立模型,对加盖导体槽内部的电位分布进行虚拟仿真,观察加盖导体槽内部的电位分布趋势,并将仿真结果图记录到实验报告。
    • 将程序代码及相应的说明文字和图形附到实验报告的附录中不够可附页。可以使用Matlab的pdetool工具箱,利用其图形化界面进行简单设置即可实现建模仿真,请将其设置参数截图与步骤说明记录到附录中。
  • 实验数据:

Part A 虚拟仿真平行板电容器与加盖导体槽内的电位分布

  • 平行板电容器的电位分布仿真图

设两个平行板放在的环境中,导体板厚度为0.1,间距为1,长度为1,左侧导体板的电位为10V,右侧导体板的电位为-10V,无限远处空间电位为0V,初始条件满足狄利克雷条件。电位分布的仿真结果如下:

由仿真结果可以看到,导体板间的电场强度可近似看作匀强电场,电位分布也可以近似为从左向右均匀下降。

  • 加盖导体槽内的电位分布仿真图

设加盖导体槽放在的环境中,盖板和槽壁的厚度均为0.1,盖板的宽度为1,导体槽的宽度为1,深度为1。初始条件为:盖板电位10V,导体槽接地,空间无限远处电位0V,满足狄利克雷条件。电位分布的仿真结果如下:

从仿真结果可以看到,等位线密度由槽底中央向槽壁和盖板连接处逐渐变密。


附录:

请在此处附上虚拟仿真程序代码及其他需要附录的文字说明或图,可附页。

一.

>>pdetool

1.画两个平行板:R1 R2和介质 R3:

  • 设置R1R2R3的参数:如下图所示:

  • 将函数方程改为R3-R1-R2:

  • 将所求类型改为:

  • 点击boundary,设置边界条件:

介质边界为0,左边电极板为10v,右面电极板为-10v:

  • 设置PDE 介质参数:epsilon=1;rho=0:

  • 点击Plot画图:

勾选contour和Arrows:


  • pdetool   打开界面
  • 画加盖导体槽:R1 R2 R3 R4 ,R4 是盖, 画介质R5:

3.设置参数:

4.函数方程改为:

5. 将所求类型改为:

6.设置边界值:其中R1 R2 R3 电位为0;R4 为10v  无穷远为0v:

7.设置 介质参数:

8.画图:


完整的Word格式文档51黑下载地址:

静电场边值问题研究实验.docx (786.33 KB, 下载次数: 3)



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