DBF410/DBF310_ASEMI快充专用整流桥

相比传统充电器，它有哪些优势？

1、充电效率高。氮化镓的带隙比硅高得多，这意味着它可以随时间传导更高的电压。带隙较大也意味着电流可以比硅更快地流过GaN制成的芯片，从而可以更快地进行处理，充电更快。

2、散热快。氮化镓与前两代的半导体相比，禁带宽度大、导热系数更高。而且可在200以上的高温下工作，能承载更高的能量密度，可靠性高，能够将过度充电的可能性最小化。

3、体积小。氮化镓材料本身优异的性能，使得做出来的氮化镓比传统硅基IGBT/MOSFET 等芯片面积更小，同时由于更耐高压，大电流，氮化镓芯片功率密度更大，因此功率密度/面积远超硅基。此外由于使用氮化镓芯片还减少了周边的其他元件的使用，电容、电感、线圈等被动件比硅基方案少得多，也进一步缩小了体积。