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金属面晶体YSO110TR 升级款贴片有源晶振,性能更优 超小型SMD金属封装、可达工业级温度 1612/2016/2520/3225/5032/7050六种封装尺寸 符合RoHSren证、无铅环保
金属面晶体YSO110TR特点：
频率范围：1~54MHz 频差(25℃)：±10PPM，±20PPM，or specify 老化(zui大)：±3PPM/年 温度范围：-40~+85℃ 电压：1.8~3.3V 输出方式：CMOS 体积：1612,2016,2520,3225,5032,7050 取代型号：YSO211SR、YSO221SR、YSO321SR、YSO531SR、YSO751SR 应用：WLAN、蓝牙、DSC、DSL等IT产品
金属面晶体YSO110TR电气规格：
输出频率范围：1~54MHz或指定 输出类型：互补金属氧化物半导体 供电电压：1.8V ~ 3.3V 振荡模式：基本 频率公差(25℃)：±10ppm、±20ppm，或另行规定 输出负载：15pf,或指定 工作温度范围：-40~+85℃、-40~+125℃，或指定 频率对温度特性：±20ppm、±30ppm、±50ppm或指定 存储温度范围：-55 ~ + 125℃ 电压Vol(zui大)/Vol(zui小)：90%Vddzui小/10%Vddzui大 对称：45 ~ 55% 上升(Tr)/下降(Tf)时间：4nsmax。 启动时间：3 msmax。 频率老化(at25℃)：±3ppm/yearMax
金属面晶体YSO110TR包装尺寸：
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