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单片机开漏输出上拉至12V的配置问题

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楼主
ID:721008 发表于 2020-11-11 14:38 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
手里有一个N沟道的MOS管，想把它配置成开关用，其导通电压信号由单片机送出，但是MOS管导通时的漏极（D）电压要求为12V，因为单片机输出只有5V,所以想把IO口配置为开漏输出，然后外部用10K电阻上拉到12V后再接MOS管的漏极。想问一下这样做有没有风险，会不会损坏单片机？希望大神予以赐教，感谢。
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沙发
ID:626055 发表于 2020-11-11 15:24 | 只看该作者
原理上没有什么问题，注意开关速度不要太快。如果太快由于CGD的耦合电容，可能把IO口烧坏。
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板凳
ID:401564 发表于 2020-11-11 16:00 | 只看该作者
但凡是有点经验的,都不会给单片机的IO施加高于单片机VCC电源的电压
从原理上来说,把单片机的IO设定为OD型输出是可以的,但这本身也是要单片机运行代码之后才生效的,单片机上电复位就是默认值,很有可能会烧坏单片机的IO
一般是用一个三极管或者MOS来驱动的,而且,个人感觉一般的5V单片机IO足以驱动大多数的NMOS管了,不是高频的话,不用12V来驱动的
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地板
ID:213173 发表于 2020-11-11 16:06 | 只看该作者
一般单片机端口施加电压不得大于VCC+0.5V。楼主所述NMOS管VGS±12V是极限指标，通常低压NMOS管VGS 起始导通电压2~3V，4.5V即可深度饱和导通。就算耐压几百V的MOS管，典型应用电路的驱动电压也不过10V。

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5#
ID:423511 发表于 2020-11-11 16:27 | 只看该作者
可采用光耦隔离电路实现。

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6#
ID:842160 发表于 2020-11-11 16:47 | 只看该作者
原理上没问题，注意设置IO口的工作模式
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7#
ID:721008 发表于 2020-11-11 16:48 | 只看该作者
本帖最后由 ADMIN_ALLENY 于 2020-11-11 16:50 编辑
Y_G_G 发表于 2020-11-11 16:00
但凡是有点经验的,都不会给单片机的IO施加高于单片机VCC电源的电压
从原理上来说,把单片机的IO设定为OD型 ...

很感谢您的指点，本人小白，作为初学者没啥经验。是这样，单片机的IO口是可以驱动导通NMOS,我这边是用想用四个NMOS当做H桥电路来驱动12V电机，当Vg端用IO口来驱动时，发现MOS管S端电压很小，只有3点几伏，电机速度很慢。然后发现通过增大Vg的电压，然后S端的电压也随之变大，所以我才想把IO口模式设置为开漏，上拉到12V，就是想把Vs变大，可是测量的Vs只有5.7伏，拉不到12V。C:\Users\Administrator\Desktop

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20190127141937246.png
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8#
ID:339654 发表于 2020-11-11 17:02 | 只看该作者
可以用三极管将12V电压与IO口隔离
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9#
ID:180919 发表于 2020-11-11 22:47 | 只看该作者
开关多数用P通道来开关正极.N通道的只能开关负极
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10#
ID:401564 发表于 2020-11-12 11:51 | 只看该作者
ADMIN_ALLENY 发表于 2020-11-11 16:48
很感谢您的指点，本人小白，作为初学者没啥经验。是这样，单片机的IO口是可以驱动导通NMOS,我这边是用想 ...

百度一下H桥电路,基本就能找到电路的
初学最好就是直接买成品的马达驱动,尽可能的保证问题不出现在硬件
PMOS管和NMOS管差不多是等效于PNP和NPN
不同的是,MOS管都自带(寄生)一个二极管的,看元件符号就知道了,其它的用法跟三极管是一样的以下是一个用三极管驱动NMOS管的电路,低电导通,但没有实际使用过,不知道MOS管会不会发热,你可以试一下,一个H桥就是4个相同的电路


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11#
ID:687694 发表于 2020-11-12 16:17 | 只看该作者
本帖最后由 lovexulu 于 2020-11-12 16:19 编辑

不可以！三极管隔离可以，但因为你手里的管子是N沟，故驱动要2只三极管隔离。
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12#
ID:687694 发表于 2020-11-12 18:43 | 只看该作者
Y_G_G 发表于 2020-11-12 11:51
百度一下H桥电路,基本就能找到电路的
初学最好就是直接买成品的马达驱动,尽可能的保证问题不出现在硬件
...

这个电路貌似不一定能正常工作，因为GS 电压（1，2脚）并不一定能大于阈值电压。mos管会工作在放大态，会发热。负载会抬高S脚电压。
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13#
ID:687694 发表于 2020-11-12 18:57 | 只看该作者



低压驱动高压非隔离式，N沟管。驱动电流小于1ma。
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14#
ID:160500 发表于 2020-11-12 19:01 | 只看该作者
单片机IO直接12V是不行的。仔细看一下datasheet就知道，IO口是有一个最大电压的，一般不超过VCC+0.3
或者VCC+0.7，超过会有烧毁IO脚或者整个MCU的风险
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15#
ID:128695 发表于 2020-11-12 23:07 | 只看该作者
小电流的h桥一般上管用P下管用N比较多，如果都使用N管，一般上管需要专门的带有升压/电荷泵功能的mos驱动芯片来产生超过电源电压的G级驱动电压，否则容易让管子开通不完全，进入线性区导致损耗过大烧毁的；回到题目的问题，单片机一般不能这么使用，开漏模式施加超过io耐压的电压会损坏mcu，对于电源电压12V没超过mos的vgs耐压情况，可以把上管换为p管，并在单片机io后加cd4011用来驱动，参考附件电路

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