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请教STC单片机的EEPROM和I2C总线的24C0X系列芯片,除了容量,别的还有什么区别的?

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ID:825883 发表于 2020-12-22 08:26 | 显示全部楼层 |阅读模式
本帖最后由 33943417 于 2020-12-23 06:53 编辑

大家好,我是初学者,刚看了STC单片机的EEPROM部分(片内存储器)和I2C总线的AT24C0X芯片,二者都是存储数据的,觉得单片机的EEPROM比AT24C0X系列芯片应用起来简单的多,无论是从硬件方面还是软件方面来说。除了容量,别的还有什么区别的?
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ID:367460 发表于 2020-12-22 17:24 | 显示全部楼层
我使用过AVR单片机的EEPROM,其实存储的本质是一样的, 掉电不丢失, 只是AVR它把好多东西都集成了,用起来方便, AVR直接调用函数就可以写EEPROM, 但是你如果扩展AT24C02 , 你就得自己写程序, 感觉有点像汽车的手动挡和自动挡的区别,   你会手动挡类自动挡自然就会了

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ID:401564 发表于 2020-12-22 17:26 | 显示全部楼层
EEPROM就是电可擦除存储器
STC单片机的EEPROM是集成上单片机内部的,人家就叫片上的EEPROM
24CXX是在外部的
两个功能是一样的
但读写的方法不一样
STC是内部总线读写的
24Cxx是用IIC协议读写的

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ID:825883 发表于 2020-12-23 06:54 | 显示全部楼层
从编程难度方面和电路板制作方面来说,片内EEPROM简单太多了。
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ID:996773 发表于 2023-6-20 11:25 | 显示全部楼层
看应用场合的,单片机的模拟eeprom和24c02我都用过,单片机模拟的eeprom改一个字节必须

擦除整个扇区,然后再一起改写,我在单片机内部划出一整块内存读出来再改一个字节再一下子

写入单片机eeprom伺候它,读写的时候还得禁止中断,24c02相对简单一些,改哪个字节就改哪个,

个人还是喜欢单片机内部的eeprom,程序复杂一些,毕竟元件减少了,线路简单了
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ID:883242 发表于 2023-6-20 13:10 | 显示全部楼层
真正的eeprom早期型号写寿命是千万次这个级别的,现在降低成本降低到百万次。

flash早期写寿命十万次,现在普遍降低到一万次,也有极低成本如STM8S003只有100次。

某些单片机用程序存储器flash冒充eeprom,自己查datasheet好了。
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ID:57657 发表于 2023-6-20 14:00 | 显示全部楼层
片内 EEPROM:二进制1可写为0,0不可写为1,扇区擦除恢复为1,至少擦一个扇区(512字节),可使用unsigned char code指针访问,编译成汇编MOVC指令并允许无限次读取。
24C02:二进制1可写为0,0也可以写为1,没有扇区的说法。
EEPROM读写数据应使用磨损平衡算法,将数据存储在不同位置,使寿命损耗保持一致。
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ID:1065084 发表于 2023-6-20 14:13 | 显示全部楼层
差别非常大  但对具体应用区别并不一定很大
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模拟eeprom 优势
模拟eeprom
读取1字节:4个系统时钟,使用MOVC指令读取更方便快捷(假设主频12M1T模式下需要0.3us)
编程1字节:约 30~4Ous(实际的编程时间为6~7.5us,但还需要加上状态转换时间和各种控制信号的SETUP和HOLD时间)
擦除1扇区(512字节):约4~6ms
eeprom
读取1字节:4*10个时钟(假设400khz时钟,约为100us)
编程1字节:5ms
擦除1扇区,没有扇区概念 实际擦除512字节需要3*10+512*9 +5  大约13ms
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模拟eeprom劣势
模拟eeprom
最小擦除单位  1个扇区(512字节)
擦除寿命 10万次
eeprom
最小擦除单位  1个字节
擦除寿命 100万次
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实际应用下对速度要求不高,高速应用也会意味着高容量,所以速度优势并不明显。擦除单位问题可以通过算法优化,寿命问题不明显,
也可以通过算法优化来提高寿命。总体来说,对于一般应用不用管,对于特殊应用可以进行算法优化或者重新选型。因为非易失存储还有很多可选的
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