GaN光学研究

ID:864797 · 发表于 2021-1-22 10:55

在蓝宝石衬底上外延生长的氮化镓（GaN）为原材料,可以通过华林科纳研制的湿法清洗设备进行光电化学湿法刻蚀、光化学湿法刻蚀、小球模板法刻蚀以及烘干、旋涂、提拉、蒸镀、沉积等半导体材料的工艺方法,初步实现了图形化可控刻蚀GaN的目的,并利用III-V族半导体的优势实现光致发光、光电流响应和表面增强拉曼散射等应用。

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