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MB85RS16 是 FRAM (铁电随机存取存储器)芯片,配置为 2,048 × 8 位,通过铁电工艺和硅栅 CMOS
工艺技术形成非易失性存储单元。
MB85RS16 采用串行外设接口 (SPI)。
MB85RS16 与 SRAM 不同,无需备用电池即可保持数据。
MB85RS16 中使用的存储单元可用于 1012 次读 / 写操作,它的读 / 写耐久性大大超过 FLASH和 E2PROM。
MB85RS16 不会像 FLASH 或 E2PROM 那样需要很长的数据写入时间,而且 MB85RS16 不需要等待时间。
引脚图:
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