低压MOS代替三极管降低漏电流

ID:668004 · 发表于 2021-7-22 16:02

ID:332444 · 发表于 2021-7-22 16:58

用小电流三极管驱动场效应即可

ID:155507 · 发表于 2021-7-22 17:18

看看P通道FDN338P和N通道FDN337N。
它们具有典型的 0.7 - 0.8 伏的低 Vgs（这是你想要的 3.3V 逻辑）和低 RDS on。

ID:420836 · 发表于 2021-7-23 09:42

DMN2024U, Vth (min) = 0.5V, ID (max) = 5.5A, SOT23

ID:668004 · 发表于 2021-7-23 11:58

angmall 发表于 2021-7-22 17:18
看看P通道FDN338P和N通道FDN337N。
它们具有典型的 0.7 - 0.8 伏的低 Vgs（这是你想要的 3.3V 逻辑）和低 ...

这颗物料应该不便宜仙童的是吗

ID:668004 · 发表于 2021-7-23 11:58

TTQ001 发表于 2021-7-23 09:42
DMN2024U, Vth (min) = 0.5V, ID (max) = 5.5A, SOT23

这颗物料是国产的吗

ID:668004 · 发表于 2021-7-23 13:41

xianfajushi 发表于 2021-7-22 16:58
用小电流三极管驱动场效应即可

你的意思MCU驱动三极管然后三极管驱动MOS吗？

ID:491875 · 发表于 2021-7-24 18:17

SI2306典型VGS(TH)为0.76V，价廉物美。易购

ID:332444 · 发表于 2021-7-25 18:31

QWE4562012 发表于 2021-7-23 13:41
你的意思MCU驱动三极管然后三极管驱动MOS吗？

电路形式多样，都可以灵活设计，还有光耦等。

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