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关于单片机内阻测试仪的电路分析问题

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ID:821461 发表于 2022-5-25 13:55 | 显示全部楼层 |阅读模式
我在论坛上找到个内阻测试仪的代码和电路图,
我想请教下,我圈出的地方是做什么用的?
按理说只要单片机管脚控制MOS管,开启放电就行了,为怎么这里搞两个二极管和两个电容?
求大牛解答

内阻仪

内阻仪


程序代码如下: M8内阻测试仪制作文件.rar (191.67 KB, 下载次数: 26)
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ID:821461 发表于 2022-5-25 14:01 | 显示全部楼层
这个是使用直流通电法来测试内阻的程序及电路,如果哪位有交流法测内阻的程序可以分享一份给我吗?
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ID:437879 发表于 2022-5-25 14:38 | 显示全部楼层
红色区域是升压电路,将5V升高到9V,再用9V驱动场效应管让它充分导通。不然,光靠5V驱动,只比VGS(TH)高一点点,不容易充分导通。
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ID:821461 发表于 2022-5-25 14:59 | 显示全部楼层
dz20060101 发表于 2022-5-25 14:38
红色区域是升压电路,将5V升高到9V,再用9V驱动场效应管让它充分导通。不然,光靠5V驱动,只比VGS(TH)高一 ...

仅仅为了升压?但是我以前用的75N75直接用单片机驱动也是能导通的呀。
大佬,我圈出的这个属于倍压输出电路吗?
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ID:887371 发表于 2022-5-25 15:40 | 显示全部楼层
xiaosps 发表于 2022-5-25 14:59
仅仅为了升压?但是我以前用的75N75直接用单片机驱动也是能导通的呀。
大佬,我圈出的这个属于倍压输出 ...

是的,你圈出的这个属于倍压输出电路。

PD5=0时,5V通过VD3给C2充电,C2的最大电压是4.3V。
PD5=1时,C2通过VD4给C3充电,C3的最大电压是8.6V(5+4.3-0.7)。
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ID:96682 发表于 2022-5-25 15:43 来自手机 | 显示全部楼层
VT1VT2 ··  VT2  ON/OFF
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ID:437879 发表于 2022-5-25 17:22 | 显示全部楼层
xiaosps 发表于 2022-5-25 14:59
仅仅为了升压?但是我以前用的75N75直接用单片机驱动也是能导通的呀。
大佬,我圈出的这个属于倍压输出 ...

对,就是为了升压。场效应管导通栅极最低大概需要4伏,用5V驱动不可靠。因此用升压来保证可靠性。栅极最高能承受20伏。
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ID:437879 发表于 2022-5-25 17:28 | 显示全部楼层
dz20060101 发表于 2022-5-25 17:22
对,就是为了升压。场效应管导通栅极最低大概需要4伏,用5V驱动不可靠。因此用升压来保证可靠性。栅极最 ...

补充一下,电路目的是测内阻。场效应管导通越充分,它的Ron越小,测量精度越高。
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ID:821461 发表于 2022-5-26 11:17 | 显示全部楼层
dz20060101 发表于 2022-5-25 17:28
补充一下,电路目的是测内阻。场效应管导通越充分,它的Ron越小,测量精度越高。

明白了,谢谢,原来为了降低场管的内阻,原来是这个意思,我还说呢,5V就能导通的干嘛非得搞那么多零件,增加外围电路,谢谢啦,我想下怎么处理这块的电路
再次,诚挚的感谢各位大佬的解惑。谢谢!
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ID:821461 发表于 2022-5-26 11:20 | 显示全部楼层
datouyuan 发表于 2022-5-25 15:40
是的,你圈出的这个属于倍压输出电路。

PD5=0时,5V通过VD3给C2充电,C2的最大电压是4.3V。

感谢老师的解惑,您分析的太清楚了,连电压都帮算出来了,感激。
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ID:537530 发表于 2023-9-23 13:34 | 显示全部楼层
倍压电路
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