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7N60-ASEMI高压MOS管7N60

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编辑:ll
7N60-ASEMI高压MOS7N60
型号:7N60
品牌:ASEMI
封装:TO-220AB
最大漏源电流:7A
漏源击穿电压:600V
RDSONMax1.2Ω
引脚数量:3
沟道类型:N沟道MOS
芯片尺寸:MIL
漏电流:
恢复时间:5ns
芯片材质:
封装尺寸:如图
特性:高压MOS
工作结温-55℃~150℃
7N60场效应管
7N60的电性参数:最大漏源电流7A;漏源击穿电压600V


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