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开关电源的MOS管选型问题,决定MOS管开关频率 的有哪些 参数

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楼主
ID:709761 发表于 2022-9-9 08:04 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
MOS管的耐压和电流怎么选,为什么IGBT的频率没有MOS管高,关键是什么参数造成的
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沙发
ID:893997 发表于 2022-9-11 10:48 | 只看该作者
mos耐压需要两倍以上,电流按管子标的5分之1算。
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板凳
ID:1007932 发表于 2022-9-11 21:57 | 只看该作者
IGBT有拖尾电流,听说是因为IGBT导通时即有电子又有空穴参与导电,但空穴恢复比较慢,所以IGBT比较慢。
MOS可以看Qg的大小,栅极存储的电荷越少开关速度越快。
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地板
ID:883242 发表于 2022-9-12 07:37 | 只看该作者
IGBT有存储效应,从深饱和状态恢复出来的时间很长,限制了最高开关频率。

MOSFET的最高频率是驱动电路无法克服Qg栅极电荷给限制住的,只要你能开发出足够强大的栅极驱动,MOSFET的工作频率是无限的,唯一能限制的物理极限只有光速。
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5#
ID:123289 发表于 2022-9-12 16:49 | 只看该作者
MOS管的耐压和电流怎么选?
答:参照设计的要求,加个富裕度,查手册,符合条件即选中。
为什么IGBT的频率没有MOS管高,
答:IGBT是集成的东东,MOS是单一的东东,多个东东就多个限制。
关键是什么参数造成的。
答:分布电容、元件电容是关键参数。
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