为什么MOS管比BJT导通时的管压降要小(开关管)

ID:50910 · 发表于 2022-9-12 12:48

从MOS和BJT的输出特性曲线上看：当MOS和BJT处于导通状态时，BJT工作饱和区，MOS工作在可变电阻区。而且当其向线性放大区转变的临界点，似乎MOS管的管压降大于BJT的管压降。但实际工作中，MOS管的RSON电阻很小，因此它的管压降比BJT的要小很多。

ID:301191 · 发表于 2022-9-27 03:48

顶一下

ID:491577 · 发表于 2022-9-27 08:29

MOS管与BJT特性是差不多的，只是BJT只有小功率管没有大功率的，所以内阻比较高，但是反向漏电流也小呀，MOS管很多都是大功率的所以内阻比较小，你在意内阻用MOS管就好。

ID:752974 · 发表于 2022-9-27 09:01

MOS没有饱和压降的概念，给出的是导通电阻，因此，在导通电阻一定（栅偏压）的情况下，压降和工作电流相关联。

ID:420836 · 发表于 2022-9-27 09:27

MOSFET在饱和时就像欧姆电阻一样工作，并且由施加到栅极的电压控制。当栅源电压足够高时，MOSFET 的导通电阻可以非常低。因此，饱和状态下 MOSFET 的电压降可能非常低。 BJT 在饱和时像二极管一样工作，并由基极电流控制。最低电压降可高达约 0.2V，高于 MOSFET。

ID:1007932 · 发表于 2022-9-27 09:29

看bjt和mos的结构，两种导通方式不一样，bjt导通后只剩下一个PN节相当于二极管，mos导通后导电沟道相当于电阻，不考虑电路的情况下这俩没啥可比的，大概就是高压小电流用BJT，低压大电流用MOS，bjt的PN节压降固定，低压损耗大，高压mos的导电沟道长电阻大，相应的损耗也大。

ID:1034262 · 发表于 2022-9-27 11:01

那是在低压小电流的情况。如果再高压大电流，比如500V 100A，三极管的损耗就会比MOSFET小，但驱动电流大，于是，IGBT就诞生了。为什么高压大功率的地方用IGBT而烧用MOSFET几十这个原因。
哪怕是200V的MOSFET，其通阻往往都到了几百毫欧级别，假设是0.6欧姆，电流10A就压降6V，损耗60瓦，而这时候用三极管，饱和压降1.5V，则损耗15瓦。

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