单片机内部时钟和RTOS系统

ID:668004 · 发表于 2022-9-23 13:42

1.rtos也不是更好，只是看需求，当你有一些复杂应用，多任务调度，你裸机就很麻烦控制时间，最多自己写一个时间片调度，那RTOS更好进行任务管理。相当于是单片机的系统了，所以一般物料网产品上RTOS会方便很多？

2.内置高速时钟，低速时钟，有哪些优缺点？一般场合，能用内部时钟代替晶振不？

ID:752974 · 发表于 2022-9-23 15:08

可以用，就是精度稍差点，其它方面没问题。

ID:123289 · 发表于 2022-9-23 17:31

高低内外的区别：
精度、速度、耗电。主要在这三个方面。

ID:629502 · 发表于 2022-9-23 17:45

一般场合内部晶振也是可以直接使用的，就是精度上没有外部时钟精准，要求不高的可以直接使用

ID:883242 · 发表于 2022-9-23 21:16

第二个问题找个datasheet看下LSI、HSI的参数看一下比上论坛来问要靠谱太多了。

ID:668004 · 发表于 2022-9-26 16:32

munuc_w 发表于 2022-9-23 15:08
可以用，就是精度稍差点，其它方面没问题。

不需要很精准但是要满足产品五年的使用寿命现在ADC采集的频率是每100ms采集一次数据每15秒存一次数据（一次数据多少字节不清楚我是搞硬件的对这些还没搞通透）如果用flash当做EEPROM用能擦写多少次换算成年是多少年

ID:1045963 · 发表于 2022-9-26 22:12

要求不高可以，内部的精度都不行。

ID:1034262 · 发表于 2022-9-27 11:06

看你对时钟的要求了，只要其精度满足你的要求，温漂、抖动也满足你的要求，那用内部更好，少个晶振，更可靠。
至于RTOS，看你项目要求了。多任务也可以不用RTOS的，基于时间片处理任务、时间触发任务等等都可以做到RTOS类似的功能。

ID:883242 · 发表于 2022-9-28 02:46

QWE4562012 发表于 2022-9-26 16:32
不需要很精准但是要满足产品五年的使用寿命现在ADC采集的频率是每100ms采集一 ...

你自己查datasheet，以前flash写寿命在10万次左右，现代精简很多次的低成本工艺，已经在1万次左右，也有更低的比如STM8S003可以做到100次。同样的24系列eeprom曾经的写寿命是1000万次，现在已经成功地降低到了100万次，如果都不够用，就用铁电吧。

flash和eeprom只有写是有次数限制的，读没有次数限制，读没有寿命的概念，只有MTBF的概念。

帐号		自动登录	找回密码
密码			立即注册

单片机内部时钟和RTOS系统

浏览过的版块