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PL2300GD SOT-23-3 N通道高密度壕沟MOSFET

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特征
●用于低RDS的超高密电池沟槽设计(开启)。
●坚固而可靠。
●表面安装软件包。


规格书下载: PL2300.pdf (502.35 KB, 下载次数: 3)
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