全桥、半桥、推挽电路中用的MOS一般都是NMOS，特别市在高压端，很少看到有PMOS，这...

ID:668004 · 发表于 2022-12-3 11:08

全桥、半桥、推挽电路中用的MOS一般都是NMOS，特别市在高压端，很少看到有PMOS，这是基于什么考虑？可以从哪几个方面来分析？

1.NMOS耐压更高，工艺更简单？

2.

3........

欢迎接龙

ID:883242 · 发表于 2022-12-3 11:31

同样性能，N沟更加便宜。同等价格，N沟性能更好。

ID:688692 · 发表于 2022-12-3 14:23

P沟道的电压高了驱动一样要加隔离，既然都要隔离还不如一起用N的了。

ID:712493 · 发表于 2022-12-3 16:35

好像同样规格的NMOS PMOS PMOS的导通电阻要大一些？

ID:1034262 · 发表于 2022-12-3 18:34

相同条件下，N沟的比P沟的内阻更小、电流更大，上下管都用N沟，则输出对称，损耗小。

ID:965189 · 发表于 2022-12-3 21:24

在功放输出级，我用PMOS,NMOS配对管。还未试过上下用NMOS的。

ID:170206 · 发表于 2022-12-3 22:17

上管PMOS驱动开通时要求的驱动电压更高，上管NMOS开通可以用自举电容解决这个问题，因此驱动级不会涉及很高电压

ID:319585 · 发表于 2022-12-4 16:22

把自举电容的原理学会了一切就变得简单了，你会发现用自举电容比用pmos好多了。

ID:668004 · 发表于 2022-12-15 11:05

hmsfeng 发表于 2022-12-3 22:17
上管PMOS驱动开通时要求的驱动电压更高，上管NMOS开通可以用自举电容解决这个问题，因此驱动级不会涉及很高 ...

PMOS不是低导通吗！

ID:276685 · 发表于 2022-12-15 13:41

NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高)
也就是说用nmos作buck-boost电路上管时需要有高于供电电压的控制电压一般由自举电容提供,但是一旦开关占空比过高自举电路就会失效,这也是nmos做上管不能100占空比的原因,除非你单弄一路电源

PMOS管的主回路电流方向为S→D，导通条件为VGS有一定的压差，一般为-5~-10V（S电位比G电位高)
一般电路很少弄负电源这就很大程度上限制了pmos的应用.在小电流5A以内吧pmos也是能媲美nmos的.pmos做上管就能很好的解决100占空比的问题.

ID:1034262 · 发表于 2022-12-15 15:32

fbn20050523 发表于 2022-12-15 13:41
NMOS管的主回路电流方向为D→S，导通条件为VGS有一定的压差，一般为5~10V（G电位比S电位高)
也就是说用nm ...

PMOS需要负的栅压，是指G比S电压低，并不是真的要一个负电源。

ID:883242 · 发表于 2022-12-15 16:37

coody_sz 发表于 2022-12-15 15:32
PMOS需要负的栅压，是指G比S电压低，并不是真的要一个负电源。

可能说的是小功率场合，数字集成电路工艺发展线路是TTL、PMOS、NMOS、CMOS，当年的PMOS电路就是负电源的。

ID:276685 · 发表于 2022-12-15 20:45

coody_sz 发表于 2022-12-15 15:32
PMOS需要负的栅压，是指G比S电压低，并不是真的要一个负电源。

看你用在高侧还是低侧

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