关于STC单片机EEPROM读写操作误区

ID:408539 · 发表于 2023-1-10 03:45

最近在使用STC EEPROM时踩了个坑
写入的数据取出来值不一样查看STC手册时才发现
EEPROM 只能1写成0 不能0 写成1

正常需要写数据到EEPROM需要先擦除数据整扇区512字节
再写入数据才是正常的
那么扇区内的其他数据不是也同时被擦除拉
要保留扇区内其他数据  只能线读出来修改好后再写入整个扇区
STC 官方提供的例程只有读 N个字节,写N个字节 , 擦除三个基本操作
所以只能自己写一个功能函数了
下面的就是根据官网的读写例程凑合写的
已经测通过试过
希望可以给大家借鉴,如果有更高效的写法可以分享出来一起探讨

/*描述:读出原有EEPROM数据  修改其中数据  重新写入EEPROM
函数: EEPROM_save_write(u32 EE_address,u8 *DataAddress,u8 len)
参数: EE_address:  要写入的EEPROM的首地址.
   DataAddress: 要写入数据的指针.
   len:             要写入的长度
-----------------------------------------------------------------------------------------------------------*/
void EEPROM_save_write(u32 EE_address,u8 *DataAddress,u8 len)
{    u16 j;
      u8  i;
      u8  H[255];//扇区高位缓存
      u8  L[255];//扇区高位缓存
      u8  sq;    //操作扇区缓存
      //先读出EEPROM原有扇区数据
      j=EE_address;
      sq=j/512;                                     //转换成扇区
      EEPROM_read_n(sq<<9,L,255);    //读出扇区低位
      EEPROM_read_n((sq<<9)+256,H,255); //读出扇区高位
      for(i=0;i<len;i++){             //循环修改长度
if((j/256)%2)                   //判断地址高位还是低位修改取出来的数值
         H[j%256+i]=*(DataAddress+i);
      else
         L[j%256+i]=*(DataAddress+i);
}
      EEPROM_SectorErase(sq*512);    //擦除所在扇区
      EEPROM_write_n(sq<<9,L,255);    //写入新的扇区低位数据
      EEPROM_write_n((sq<<9)+256,H,255);//写入新的扇区低位数据
}

ID:1060328 · 发表于 2023-1-10 15:57

EEPROM每个字节默认是FFH，所以只能写0将1改成0，擦除是按扇区（512B）

ID:1034262 · 发表于 2023-1-13 16:33

STC的EEPROM是FLASH结构，所有的FLASH都是扇区擦除的，擦除后全部是FF，写只能将1写成0，不能写成1.
多个字节的操作，先全部读出来（最多是一个扇区512字节），修改，擦除，写入。

FLASH是一种浮栅结构的FET（U盘、SD卡、TF卡、固态硬盘都是），一个FET一个bit，擦除就是将栅极放电，则FET截止，输出1，写入就是给栅极充电，则FET导通，输出0。停电后，栅极电压保持，一般能保持20年以上。

ID:1057978 · 发表于 2023-1-14 18:23

coody_sz 发表于 2023-1-13 16:33
STC的EEPROM是FLASH结构，所有的FLASH都是扇区擦除的，擦除后全部是FF，写只能将1写成0，不能写成1.
多个 ...

老哥专业，学习了

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