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编辑：ll ASE4N65SE-ASEMI高压N沟道MOS管ASE4N65SE 型号：ASE4N65SE 品牌：ASEMI 封装：TO-220F 最大漏源电流：4A 漏源击穿电压：650V RDS（ON）Max：2.5Ω 引脚数量：3 沟道类型：N沟道MOS管 芯片尺寸：MIL 漏电流： 恢复时间：5ns 芯片材质： 封装尺寸：如图 特性：高压MOS管、N沟道MOS管 工作结温：-55℃~150℃ ASE4N65SE场效应管 ASE4N65SE的电性参数：最大漏源电流4A；漏源击穿电压650V 特征： 低固有电容。 出色的开关特性。 扩展安全操作区域。 无与伦比的栅极电荷：Qg=75 nC（典型值）。 BVDSS=650V，Id=4A RDS（开）:2.5? （最大值）@VG=10V
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