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MOS管的Pd参数是什么?

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楼主
ID:884998 发表于 2023-5-12 20:26 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如题,我看很多mos管的封装都是很小的sot23,但是电流id都能达到好几A,Vds能达到2,30V,我就好奇这个pd是指功率吗?如果是这样,Id*Vds不就远超Pd
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沙发
ID:883242 发表于 2023-5-12 23:52 | 只看该作者
power dissipation只跟封装和散热关系最密切,跟Id和Vds关系不大,因为这两个参数不可能同时很大。如果同时很大,那么Pd就很小。
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板凳
ID:1077024 发表于 2023-5-13 09:33 | 只看该作者
PD 是指:最大耗散功率.是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率.使用时,场效应管实际功耗应小于 PDSM 并留有一定余量.此参数一般会随结温度的上升而有所减额.(此参数不可靠).
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