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51单片机能用三极管来让单片机I/O囗接地吗?

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楼主
ID:881715 发表于 2024-3-19 22:39 来自手机 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
各位大神好,我想用一个NpN三极管的通断来拉低单片机的1/0囗,集电极接单片机1/O囗,发射极接地可以吗?如可以请讲一下注意的事项?不可以请说明原因!
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沙发
ID:883242 发表于 2024-3-19 23:16 | 只看该作者
这本来就是标准做法。标准51这么做无须注意任何问题,扩展型51要注意不能配置I/O为推挽输出,会短路的。
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板凳
ID:1113532 发表于 2024-3-19 23:32 | 只看该作者
对于NPN型管是可以的。基极电阻与单片机O内部上拉电阻为串联,增加基极电阻也就增加了该电阻的分压。当电阻较小时分压不够,可能使O口电位低于达到高电平的最小电压,从而被外部拉低。
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地板
ID:881715 发表于 2024-3-20 04:57 来自手机 | 只看该作者
Hephaestus 发表于 2024-3-19 23:16
这本来就是标准做法。标准51这么做无须注意任何问题,扩展型51要注意不能配置I/O为推挽输出,会短路的。

大神,我请教一下,我单片机需要用强推挽输出,我的电路5V电源通过一个按键串一个500欧姆的电阻到NPN三极管的基极,单片机I/O囗通过一个500欧姆电阻到集电极,发射极接地,这样做会烧坏三极管和单片机1/O口吗?
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5#
ID:213173 发表于 2024-3-20 06:22 | 只看该作者
创造生活 发表于 2024-3-20 04:57
大神,我请教一下,我单片机需要用强推挽输出,我的电路5V电源通过一个按键串一个500欧姆的电阻到NPN三极 ...

单片机I/O口设置强推挽模式就只能用作输出,不能用作输入。5V电源通过一个按键串一个500欧姆的电阻到NPN三极管的基极,单片机I/O囗通过一个500欧姆电阻到集电极,发射极接地。按下按键,三极管饱和导通,不会烧坏三极管和单片机I/O口,但不可能把这个I/O囗的高电平拉低。
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6#
ID:1109793 发表于 2024-3-20 07:19 | 只看该作者
创造生活 发表于 2024-3-20 04:57
大神,我请教一下,我单片机需要用强推挽输出,我的电路5V电源通过一个按键串一个500欧姆的电阻到NPN三极 ...

接三极管集电极的应该是定义为输入的,设置为标准IO就行吧,作为输入为啥要设置强推挽IO呢?如果是输出,还有兼容输入,不太好搞,其实也可以用标准IO,然后输出以低有效,这样单片机输出和你的按键有同样的效果。实际上只是一个按键,不需要三极管的参与,直接接到IO上就行了啊。
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7#
ID:195496 发表于 2024-3-20 07:34 | 只看该作者
没有问题,传统的是准双向模式,后来出的51单片机把端口分成四种模式,要配置成开漏或输入模式,总之不要配置成推挽输出模式,NPN三极管可以直接把IO拉低,这是很正常的应用模式
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8#
ID:420836 发表于 2024-3-20 08:26 | 只看该作者
这样做完全没有问题。
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9#
ID:961114 发表于 2024-3-20 09:03 | 只看该作者
直接参考官方的实验箱线路图

实验箱9.6_2022-12-05-SCH.pdf

379.2 KB, 下载次数: 4

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10#
ID:1102070 发表于 2024-3-20 10:22 来自手机 | 只看该作者
可以。
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11#
ID:230500 发表于 2024-3-20 11:30 | 只看该作者
不建议直接接地,因为新STC 都有强推挽模式;如果不小心设置错了也是很容易烧IO口的; 正规产品的操作办法是建议串联一个1K左右的电阻后再接地;
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12#
ID:401564 发表于 2024-3-20 14:53 | 只看该作者
不是一直都这么干的吗?
随便找个按键电路那不都是直接通过按键短路到地的呀
直接短路都可以,更不用说通过三极管来拉低了
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13#
ID:883242 发表于 2024-3-20 17:19 | 只看该作者
创造生活 发表于 2024-3-20 04:57
大神,我请教一下,我单片机需要用强推挽输出,我的电路5V电源通过一个按键串一个500欧姆的电阻到NPN三极 ...

画图出来,你这么空口说不明白。
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14#
ID:883242 发表于 2024-3-21 00:17 | 只看该作者
创造生活 发表于 2024-3-20 04:57
大神,我请教一下,我单片机需要用强推挽输出,我的电路5V电源通过一个按键串一个500欧姆的电阻到NPN三极 ...

强推挽输出接三极管到地本身就是荒谬的。
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15#
ID:881715 发表于 2024-3-25 20:46 来自手机 | 只看该作者
非常感谢大家指导
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