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特征
►GaN 驱动技术针对 GaN FET 进行了充分优化
►宽 VIN 范围：4 V 到 100 V
►宽输出电压范围：0.8 V≤VOUT≤60 V
►不需要捕获、箝位或自举二极管
►内部智能自举开关可防止高压过充电-
侧面驱动器电源
►内部优化，智能接近零死区时间或电阻器
可调死区时间
►用于可调节开启和关闭驱动器的分体式输出门驱动器
优势
►精确可调的驱动器电压和 UVLO
►低工作 IQ：5μA（48 VIN 至 5 VOUT）
►可编程频率（100 kHz 至 3 MHz）
►锁相频率（100 kHz 至 3 MHz）
►扩频频率调制
►28 引线（4 mm×5 mm）侧可湿 QFN 封装
APPLICATIONS (应用)
►工业电力系统
一般说明
ZCC5148Q 是一种高性能、降压、直流到直流开关调节器控制器，可从高达 100V 的输入电压驱动所有 N 沟道同步氮化镓
（GaN）场效应晶体管（FET）功率级。ZCC5148Q 解决了传统上使用 GaN FET 时面临的许多挑战。ZCC5148Q 简化了
同时与硅金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）解决方案相比不需要保护二极管和其他额外的外部组件。内部智能
自举开关可防止 BOOST 引脚至 SW 引脚高侧驱动器电源在死区期间过充电，从而保护顶部 GaN FET 的栅极。ZCC5148Q
在内部优化了两个开关边缘的栅极驱动器时序，以实现智能的接近零死区时间，显著提高了效率，并允许高频操作，即使
在高输入电压下也是如此。或者，用户可以使用外部电阻器调整死区时间以获得裕度或定制应用。
ZCC5148Q 的栅极驱动电压可以从 4V 精确调整到 5.5V，以优化性能，并允许使用不同的 GaN FET，甚至逻辑电平 MOSFET。
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