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单片机产生PWM波后升压？？

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楼主

ID:57495 发表于 2013-12-22 20:39 | 只看该作者 |只看大图回帖奖励

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如图所示：因为单片机产生的PWM波电压太低，难以驱动半导体制冷片（额定电压12v，4A），所以设计以下电路，为了使Vi 15v降至Vout得到8v,10v 12v 。
问题1：单片机产生的PWM波可以直接接MOS管吗,中间需要光电耦合器吗?
问题2：图中的M 开关管，是MOS管合适，还是IGBT合适？？

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沙发

ID:58634 发表于 2014-1-10 18:28 | 只看该作者

个人认为单片机产生的PWM波可以直接接MOS管，如果怕影响到单片机的稳定就加光电耦合器。开关管用MOS管或IGBT都行，看工作频率和负载是什么。只是个人理解。

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板凳

ID:59048 发表于 2014-2-9 11:40 | 只看该作者

1.可以直接接MOS管，其实光耦不仅是起到隔离作用，还有就是后面的控制部分，比如电压可以接的高些（12V或者更高些）。2.当然是MOS管速度快了。可控硅导通容易，但是不能自行关断；IGBT常用于大功率设备，需要专门的驱动，所以速度也受影响。高速小功率建议用MOS管。

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地板

ID:118284 发表于 2016-5-13 08:35 | 只看该作者

加一个NPN三极管就可以

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5^#

ID:120465 发表于 2016-5-13 08:47 | 只看该作者

个人认为开关管使用MOS管比较合适

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6^#

ID:120521 发表于 2016-5-13 13:05 | 只看该作者

MOS管即可

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7^#

ID:120554 发表于 2016-5-13 16:06 | 只看该作者

mos管托托的

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