mos管的米勒电容在哪里？

ID:260939 · 发表于 2024-12-9 22:52

米勒电容在是实物图中的位置在哪了？是栅极与漏极重叠的电容吗？还是说一开始没有在开通过程中才有的？不要画原理图符号的那种解释？我知道在栅极漏极之间，但我想知道什么是米勒电容的那两个"极板’。在网上看的都说是Cgd，然后开始讲原理符号图，但它在哪怎么形成的呢？

ID:1121801 · 发表于 2024-12-10 08:18

实物是看不到的，其实就是两个极之间的电容，你可以把栅源两极的渗杂材料形成的电极作为电容的两个极，因为电容产生的原理知道只要有两个极，就可能会产生电容，而电容大小与材料，极的面积大小与两极距离等有关系，所以理论上会产生一个体电容。不止MOS管，电路板上两根平行导线间都会有轻微的体电容现象。

ID:1110945 · 发表于 2024-12-10 09:50

不是栅极与漏极重叠的电容，是栅极与漏极之间本身就有的电容，
你可以用电容表测量这两个引脚。
半导体PN结(比如二极管)本身就有结电容，利用这个特点就做出了
变容二极管，MOS管也是同样的。
两根引脚之间还有电容呢，只不过比结电容小很多。

ID:404160 · 发表于 2024-12-10 10:00

以 MOS 管为例，栅极是由金属或多晶硅等导电材料构成，可视为一个极板；漏极是半导体材料的一部分，由于其与栅极之间存在绝缘层（如二氧化硅）相隔，当在一定条件下，漏极也能起到类似极板的作用，与栅极形成电容结构，所以从这个角度讲，栅极和漏极就是米勒电容的两个极板

ID:149799 · 发表于 2024-12-10 10:31

类似于三极管的be，MOS说为米勒。

ID:155507 · 发表于 2024-12-10 11:16

米勒电容的“两个极板”是：

栅极的金属/导体部分。
漏极附近的半导体区域。

它们通过晶体管内部的绝缘介质（如氧化层或 PN 结耗尽区）耦合形成电容。虽然物理上它“始终存在”，但其电容值会根据晶体管的工作状态变化。

ID:260939 · 发表于 2024-12-11 14:54

angmall 发表于 2024-12-10 11:16
米勒电容的“两个极板”是：

栅极的金属/导体部分。

就是想知道它是如何变化

ID:1089167 · 发表于 2024-12-13 11:06

可以看一下张飞实战电子录的一个五谷丰登教程里面有一个专门讲解的MOS管的内部构造，不是原理图分析那种

ID:1111014 · 发表于 2024-12-29 10:54

三极管的B、C极，MOS管的G、D极存在一个极间电容，这个电容在共发射极、共源极电路中，可以等效到输入、输出回路中，从而极大增加输入、输出回路的电容量，影响高频特性，也称米勒效应，这种情况下的电容称为米勒电容。可以参考模拟电子技术、电子线路书的有关章节。

帐号		自动登录	找回密码
密码			立即注册