这种MOS封装电流可以做到很大，但是封装还不够小.有没有耐压60V，封装够小的，越小...

ID:668004 · 发表于 2025-1-11 16:20

这种MOS封装电流可以做到很大，但是封装还不够小.有没有耐压60V，封装够小的，越小越好（封装小，内阻低，结温高，热阻小，结电容小、Id大，vth小的）有没有推荐

ID:466250 · 发表于 2025-1-12 19:36

你需要多大的电流？体积大可以装载更大的晶圆，如果使用小管子，只能多个管子并联。

ID:668004 · 发表于 2025-1-13 17:18

蓝蓝小星星发表于 2025-1-12 19:36
你需要多大的电流？体积大可以装载更大的晶圆，如果使用小管子，只能多个管子并联。

持续电流30A

ID:565803 · 发表于 2025-1-14 08:48

这个MOS在VGS=-10V, ID=-15A时，导通电阻5.5mΩ，够小了。30A电流，消耗功率4.95W。这种封装，热阻约50℃/W，也就是说，温升约250W，肯定不行。如果VGS=-4.5V, ID=-10A，导通电阻最大到11.3mΩ，那么温升可达到500多度。。。换成更小的体积，温升只会更高。器件不是这么选的

ID:536683 · 发表于 2025-1-14 15:20

封装越小，散热越差，大电流还是用TO-220之类的封装，加散热器。

ID:668004 · 发表于 2025-1-14 20:33

liuzanshui 发表于 2025-1-14 08:48
这个MOS在VGS=-10V, ID=-15A时，导通电阻5.5mΩ，够小了。30A电流，消耗功率4.95W。这种封装，热阻约50℃/W ...

你好那怎么选呢告诉一下方法

ID:565803 · 发表于 2025-1-15 09:19

QWE4562012 发表于 2025-1-14 20:33
你好那怎么选呢告诉一下方法

要看你的实际应用。考虑使用环境、散热情况和器件自身，算出散热面积，或者采用最直接的方法，直接试，用点温计测量温升。温升+最高环境温度不能超过结温。如果超过了，就想办法散热或换器件

ID:879348 · 发表于 2025-1-15 10:28

PMOS的工艺决定了导通能力比NMOS弱，特别是高压PMOS的内阻更差

ID:1079566 · 发表于 2025-1-15 11:45

持续30A, 你最好要用散热器(铝/铜).

你选的这种封装,不容易加散热器. 你可以用多片并联的方式, 用5个并联,每个就才1W左右的功耗.
你也可以选择,容易加散热的封装如TO-220 TO-247
如: TO-247 不加散执器大约 40度/W 加散热 0.5度/W

多个MOS并联, 主要原因是二个方面,一个是解决散热问题(温度升高, 导通电阻增大),另一个才是电流原因.

ID:1143113 · 发表于 2025-1-16 16:54

大电流，小体积，到了一定的极限要求就像鱼和熊掌不可兼得了。建议从设计方案一开始就要考虑PCB面积，器件体积和性能指标的匹配度。

帐号		自动登录	找回密码
密码			立即注册