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NMOS应用在高端,需要自举电容叠加电压才能打开NMOS

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ID:668004 发表于 2025-1-21 09:46 | 显示全部楼层 |阅读模式
NMOS应用在高端,需要自举电容叠加电压才能打开NMOS

1.这里是不是有错误啊?应该是15V加电容电压Vc_boot?

2.既然NMOS在高端需要自举,为什么不直接用PMOS?用PMOS有哪些隐患和不好的地方
1.这里是不是有错误啊?.png
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ID:888148 发表于 2025-1-21 11:49 | 显示全部楼层
PMOS贵而且性能不好.
比如你看看PMOS内阻都不会很小
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ID:1110945 发表于 2025-1-21 12:19 | 显示全部楼层
PMOS做不到那么大功率。高耐压大电流的都是NMOS。
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ID:1109793 发表于 2025-1-21 18:35 | 显示全部楼层
大多数都放假了吧。我也放假了,上管不用PMOS的原因好像是说PMOS的高压或者大电流的型号都不太好找。成本可能比较高吧
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ID:688692 发表于 2025-2-16 13:07 | 显示全部楼层
对于高压应用,主控芯片输出的电平也就还是那3V 5V的,一样要想办法提升电位才能正常控制PMOS,那既然这样,就干脆用NMOS了。
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ID:420836 发表于 2025-2-17 00:49 | 显示全部楼层
NMOS 晶体管在速度和导电性方面通常比 PMOS 具有显著优势。此外,NMOS 晶体管的成本低于 PMOS。实际上,如果使用 PMOS 晶体管,则可能需要不同的电源电压,包括正电压和负电压。在散热方面,PMOS 的功率效率低于 NMOS。
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