均流电路增加过流保护电路设计，求助

ID:1073939 · 发表于 2025-8-23 16:59

上图简化后的示意图，想在此图基础上增加过流(15A)保护功能。IN电压范围6~66V，OUT电压范围为0~60V。ADJ调节R114压降，控制mosfet开度。R110 R134为均流电阻，在7.5A时压降为0.15V，要想使三极管动作需要叠加0.45V。
下图为过流保护示意图，

这图有个缺陷，执行保护动作用了2个8550，按理应只用1个。假如是多个均流，这缺陷就更明显了。

设R134压降为u0
保护管Vbe=Vbe=u0+(2.5-u0)*R2/(R1+R2)=u0+2.5*R2/(R1+R2)-u0*R2/(R1+R2)
暂时忽略u0*R2/(R1+R2)，应能实现。

求助各位，帮我完善这设计，或有类似芯片更好。

ID:332444 · 发表于 2025-8-23 22:02

三极管改为431，三极管输入阻抗低于431，且431高输入阻抗则可并归多路信号，很容易用简单电阻隔离。

ID:1073939 · 发表于 2025-8-25 09:14

三极管改为431的难点是如何把R134电压转换成以ADJ为基准的信号。假如有类似7905现对于7805这类关系的431就好了。

ID:1073939 · 发表于 2025-8-25 15:46

xianfajushi 发表于 2025-8-23 22:02
三极管改为431，三极管输入阻抗低于431，且431高输入阻抗则可并归多路信号，很容易用简单电阻隔离。

谢谢你的建议。我用pnp管模拟类似的电压器件，应该能达到要求。

通过可调电阻R2调节各支路过流保护值。过流执行器件由q1 r2 r7构成，各支路共用一套执行器件。
我不会画仿真图，求哪位大神抽时间帮忙画下。
想分析下：
vin和adj在变化时过流保护值是否一致。
IN-3V这个网络时候可以接到gnd上，省去tl431这部分电路。
电路是否还有隐藏的bug。

ID:332444 · 发表于 2025-8-26 09:14

如果看431内部电路图，就知道如何变化极性，其内部就是荔枝。

ID:879809 · 发表于 2025-8-26 13:12

BJT Vbe有-2.2mV/K的温度系数，电流越大越热，Vbe越小，Ib越大，大电流的管子恶性循环就烧了。所以多管并联必须给e极加小电阻垫高Vbe。

MOSFET的Rds是正温度系数的，多管并联电流会自动平衡，你的第一图就莫名其妙，后面引申出来的图就没有讨论价值了。

ID:1073939 · 发表于 2025-8-27 09:13

rundstedt 发表于 2025-8-26 13:12
BJT Vbe有-2.2mV/K的温度系数，电流越大越热，Vbe越小，Ib越大，大电流的管子恶性循环就烧了。所以多管并联 ...

莫名其妙是不是你认为只有bjt才需要均流电阻，mosfet不需要均流电阻？
我知道并认可你提到的知识点，但实际工程中mosfet并联普遍使用了均流电阻，这其中是否有你我所忽略的知识点。
mosfet要不要均流电阻，这个问题可以另外讨论。
本帖讨论的是利用现有的均流电阻增加硬件过流保护，弥补软件保护速度慢的缺陷。

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