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利用MOS内阻作为电流采样电阻的过流点计算，计算方法错在哪里？

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楼主
ID:668004 发表于 2025-11-4 11:33 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
利用MOS内阻作为电流采样电阻的过流点计算，计算方法错在哪里？
本主题由 admin 执行 审核通过

利用MOS内阻作为电流采样电阻的过流点计算.png (189.34 KB, 下载次数: 0)

利用MOS内阻作为电流采样电阻的过流点计算.png
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沙发
ID:668004 发表于 2025-11-4 11:33 | 只看该作者
（VAMP=5V）
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板凳
ID:980134 发表于 2025-11-4 14:21 | 只看该作者
什么叫做错在哪里，已经验证过了话就把实际输入输出结果说一下，还有就是你这运放前一个是放大作用后一个是比较作用，5/3.2这式子列不出来的。MOS的内阻不是恒定的，受节温度和漏极电流大小影响的
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地板
ID:69038 发表于 2025-11-4 14:35 | 只看该作者
半导体有一个特性就是非线性，你拿它来当采样电阻，能准吗？
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5#
ID:1133081 发表于 2025-11-4 16:03 | 只看该作者
你利用MOS内阻作为电流采样电阻确实新颖。不过根据MOS管导通特性，其导通内阻不是恒定值，在不同VGS、结温和DS电流时内阻都不同。何况其内阻变化虽然是毫欧级，但比值确很大，基本不可能精确计算出不同工况下过流点。用作短路保护作粗略取样也许能行。
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6#
ID:57657 发表于 2025-11-5 07:33 | 只看该作者
MOS管温度越高内阻越大，误差可能会超过20%
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7#
ID:21455 发表于 2025-11-5 11:09 | 只看该作者
个人看法：从图看，该是比较器，前级放大再后级比较。其用意是过流监测吧？电流超过一定值，比较器翻转给MCU。
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8#
ID:17340 发表于 2025-11-5 11:26 | 只看该作者
MOS管的内阻在固定的温度下通过固定电流是固定的，要单片机做一个表格温补查表。
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9#
ID:879348 发表于 2025-11-5 11:56 | 只看该作者
运放电容不要乱加，C3C2都是是错误的
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10#
ID:91150 发表于 2025-11-5 13:01 | 只看该作者
WL0123 发表于 2025-11-4 16:03
你利用MOS内阻作为电流采样电阻确实新颖。不过根据MOS管导通特性，其导通内阻不是恒定值，在不同VGS、结温 ...

确实新颖      如果从手册上查到这些参数  或者上电逐个实测不同工况点下各项参数  能不能实现呢？
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11#
ID:1079566 发表于 2025-11-5 15:33 | 只看该作者
实际使用是有类似的电路, 因为对限流要求精确度不高, 也就+-10%都不是问题. 电池保护芯片就是这样的.不用精确查表.

U4A放大取样电压(你这个电路放大倍数有点小). 然后与VREF比较大小, 结果输出高/低电平给MCU.
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12#
ID:1133081 发表于 2025-11-5 15:48 | 只看该作者
wjhhhhh 发表于 2025-11-5 13:01
确实新颖      如果从手册上查到这些参数  或者上电逐个实测不同工况点下各项参数  能不能实现呢？

上电逐个实测不同工况点下各项参数编制数据表，编程控制能实现目的，但要求MOS内阻特性一致性好，否则不适合量产。另外还要考虑相关电路与传统取样电阻方式有无成本优势。
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13#
ID:668004 发表于 2025-11-11 18:55 | 只看该作者
发表于 2025-11-4 14:21
什么叫做错在哪里，已经验证过了话就把实际输入输出结果说一下，还有就是你这运放前一个是放大作用后一个是 ...

好的   谢谢
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14#
ID:668004 发表于 2025-11-11 18:55 | 只看该作者
zhuls 发表于 2025-11-4 14:35
半导体有一个特性就是非线性，你拿它来当采样电阻，能准吗？

很多电池保护板都是那样做的  还可以防反接呢  
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15#
ID:668004 发表于 2025-11-11 18:56 | 只看该作者
WL0123 发表于 2025-11-4 16:03
你利用MOS内阻作为电流采样电阻确实新颖。不过根据MOS管导通特性，其导通内阻不是恒定值，在不同VGS、结温 ...

短路保护可以的  
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16#
ID:668004 发表于 2025-11-11 18:56 | 只看该作者
npn 发表于 2025-11-5 07:33
MOS管温度越高内阻越大，误差可能会超过20%

那这么说的话  就是计算出来的过流点误差很大了  
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17#
ID:668004 发表于 2025-11-11 18:56 | 只看该作者
发表于 2025-11-5 11:09
个人看法：从图看，该是比较器，前级放大再后级比较。其用意是过流监测吧？电流超过一定值，比较器翻转给MC ...

是的  我的理解也是那样的   
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18#
ID:668004 发表于 2025-11-11 18:57 | 只看该作者
wufa1986 发表于 2025-11-5 11:56
运放电容不要乱加，C3C2都是是错误的

是不是输出接一个电阻再接电容
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19#
ID:668004 发表于 2025-11-11 18:57 | 只看该作者
ZSJM 发表于 2025-11-5 15:33
实际使用是有类似的电路, 因为对限流要求精确度不高, 也就+-10%都不是问题. 电池保护芯片就是这样的.不用精 ...

放大倍数那么小 我也不知道什么原因  
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20#
ID:668004 发表于 2025-11-11 18:57 | 只看该作者
WL0123 发表于 2025-11-5 15:48
上电逐个实测不同工况点下各项参数编制数据表，编程控制能实现目的，但要求MOS内阻特性一致性好，否则不 ...

是的   
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