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如果MOS管VDS、ID、Rds（on）、Vth都差不多的话，那根据哪个参数去衡量MOS管的性能...

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楼主
ID:668004 发表于 2025-11-15 15:43 | 只看该作者 |只看大图 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
如果MOS管VDS、ID、Rds（on）、Vth都差不多的话，那根据哪个参数去衡量MOS管的性能更好还是更坏呢？
本主题由 admin 执行 审核通过

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沙发
ID:1041695 发表于 2025-11-15 18:00 | 只看该作者
mos管还有开关频率，需要高速开关的情况下需要看。
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板凳
ID:1163202 发表于 2025-11-17 18:03 | 只看该作者
结电容
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地板
ID:668004 发表于 2025-11-17 18:28 | 只看该作者
lei848200 发表于 2025-11-15 18:00
mos管还有开关频率，需要高速开关的情况下需要看。

哪个参数书开关频率啊  
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5#
ID:883242 发表于 2025-11-18 05:27 | 只看该作者
lei848200 发表于 2025-11-15 18:00
mos管还有开关频率，需要高速开关的情况下需要看。

没有这个参数，请勿误导他人。
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6#
ID:1034262 发表于 2025-11-18 18:06 | 只看该作者
速度、栅极充放电电量。
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7#
ID:1059013 发表于 2025-12-29 14:59 | 只看该作者
当然是上升时间和下降时间，小的佳
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8#
ID:879809 发表于 2025-12-29 15:23 | 只看该作者
fishafish 发表于 2025-12-29 14:59
当然是上升时间和下降时间，小的佳

你找个有上升时间和下降时间的MOSFET datasheet出来让我也乐一乐。
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