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单片机电源一定要用钽电容

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楼主
ID:1163771 发表于 2025-11-26 20:40 | 只看该作者 回帖奖励 |倒序浏览 |阅读模式
朋友们,我在学习单片机最小系统时看到了这样一段话:VDDA引通常建议启用1个10uF的钽电容 +1个100nF的陶瓷电容并联,尽可能靠近VDDA和VSSA引脚。
不统一使用钽电容的原因是什么?是钽电容太贵了吗?
不用10uf陶瓷电容的原因是什么呢?是陶瓷电容的容量太小了吗?
我们在选型的的时候,如果只看电路相关的参数,不考虑温度等环境影响的话。不同种类的电容,耐压值和精度一样,是否可以互换呢?
请各位大佬指点,谢谢




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沙发
ID:883242 发表于 2025-11-27 00:05 来自触屏版 | 只看该作者
不用10ufMLCC的原因是写原文的时候还不存在这种东西,电子技术发展太快了,5年前的圣%现在是?
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板凳
ID:1163771 发表于 2025-11-27 07:38 来自触屏版 | 只看该作者
发表于 2025-11-27 00:05
不用10ufMLCC的原因是写原文的时候还不存在这种东西,电子技术发展太快了

感谢回复
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地板
ID:420836 发表于 2025-11-27 07:57 | 只看该作者
旁路电容通常容量较大,因此通常选用电解电容或钽电容。钽电容相比电解电容具有噪声低、ESR低等优点。
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5#
ID:1159343 发表于 2025-11-27 08:05 | 只看该作者
每种元器件都有其优点和缺点,选型就要考虑具体需要。瓷片廉价高频特性不错但容量小,铝电解容量大也廉价但漏电大,以前都是小瓷片搭配大铝电解,钽电容相比铝电解几乎是全面超越,就是贵,现在价格平民化所以逐步代替铝电解。
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6#
ID:1109793 发表于 2025-11-27 08:41 | 只看该作者
事实上很多都只用一个104也很好的。或者就近加一个10uF的普通电解电容也可以。
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7#
ID:149642 发表于 2025-11-27 09:19 | 只看该作者
发表于 2025-11-27 00:05
不用10ufMLCC的原因是写原文的时候还不存在这种东西,电子技术发展太快了

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8#
ID:401564 发表于 2025-11-27 09:23 | 只看该作者
106+104组合,基本能解决你95%以上的电路
如果空间太小,太靠近DCDC,可以加一个102,或者加个磁珠把数字地和模拟分开,这就OK了
不用钽电容,就是因为它成本高,对于某些产品来说,是要靠量来赚钱的
还有就是,钽电容是电解电容,它是要分正负极的,有些电路是不能用钽电容来进行滤波的
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9#
ID:876947 发表于 2025-11-27 10:26 | 只看该作者
发表于 2025-11-27 00:05
不用10ufMLCC的原因是写原文的时候还不存在这种东西,电子技术发展太快了

钽电容大量用于精密仪器的退耦、滤波电路中,在高价值的小信号电路中普遍存在,这和它的品质有关。
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10#
ID:879809 发表于 2025-11-27 16:12 | 只看该作者
白水大虾2016 发表于 2025-11-27 10:26
钽电容大量用于精密仪器的退耦、滤波电路中,在高价值的小信号电路中普遍存在,这和它的品质有关。

退耦滤波对容量精度无要求的这种场合钽电容已经被MLCC彻底淘汰了,出门走走吧,别只看家里的那点辣🐔堆。
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11#
ID:876947 发表于 2025-11-30 11:06 | 只看该作者
发表于 2025-11-27 16:12
退耦滤波对容量精度无要求的这种场合钽电容已经被MLCC彻底淘汰了,出门走走吧,别只看家里的那点辣Ԁ ...

受教!
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12#
ID:155507 发表于 2025-11-30 19:10 | 只看该作者
白水大虾2016 发表于 2025-11-27 10:26
钽电容大量用于精密仪器的退耦、滤波电路中,在高价值的小信号电路中普遍存在,这和它的品质有关。

退耦滤波对容量精度无要求的这种场合还有高分子聚合物电容MLPC, 这是另一个优秀的现代选择,它结合了MLCC的低ESL和钽电容的容量稳定性(无直流偏压效应),但成本较高。
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13#
ID:159600 发表于 2025-12-1 08:57 | 只看该作者
贴片电容可以
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14#
ID:320306 发表于 2025-12-1 09:04 | 只看该作者
钽电容内阻小,纹波小,但是价格贵,没有成本压力的设计才考虑的
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15#
ID:876947 发表于 2025-12-1 09:30 | 只看该作者
angmall 发表于 2025-11-30 19:10
退耦滤波对容量精度无要求的这种场合还有高分子聚合物电容MLPC, 这是另一个优秀的现代选择,它结合了MLC ...

现代精密电子设备中好像都被层叠结构的这种电容取代了?
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16#
ID:195496 发表于 2025-12-1 13:21 | 只看该作者
用便宜的电解电容也是可以的,加上个小的0.1UF电容,
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17#
ID:879809 发表于 2025-12-1 17:22 | 只看该作者
zsyzdx 发表于 2025-12-1 09:04
钽电容内阻小,纹波小,但是价格贵,没有成本压力的设计才考虑的

你那是钽电解vs铝电解时代的陈词滥调了。现代MLCC在体积上已经可以跟同容量的钽电解相提并论了,跟MLCC相比,你的说法完全错误,倒着说才对。
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18#
ID:155507 发表于 2025-12-1 18:01 | 只看该作者
rundstedt 发表于 2025-12-1 17:22
你那是钽电解vs铝电解时代的陈词滥调了。现代MLCC在体积上已经可以跟同容量的钽电解相提并论了,跟MLCC相 ...

MLCC(多层陶瓷电容器)也不是最好的

MLCC(多层陶瓷电容器)的直流偏压特性是指‌在电容器两端施加直流电压时,其实际电容值会随电压升高而下降的现象‌。这一特性主要发生在采用‌铁电体材料(如‌钛酸钡)的‌二类瓷MLCC(如‌X7R、‌X5R)中,而对‌一类瓷MLCC(如‌C0G)影响较小。以下从产生原因、影响因素、实际影响及设计应对等方面展开说明。‌‌

产生原因
直流偏压特性的根源在于MLCC介质材料的非线性介电行为:‌‌

‌铁电材料的极化饱和‌:二类瓷MLCC使用钛酸钡(‌BaTiO₃)等铁电体,其‌介电常数极高但具有非线性。当施加直流电压时,内部电场使铁电畴(‌偶极子)逐渐沿电场方向排列,导致极化能力趋于饱和,介电常数降低,从而电容值下降。‌‌

‌‌介电常数与电场的关系‌:低电场下,偶极子易排列,介电常数高;高电场下,多数偶极子已定向排列,介电常数增长减缓甚至下降,电容值显著减小。‌‌

MLCC直流偏压效应是指多层陶瓷电容器在施加直流电压时,其电容值随电压升高而显著下降的现象。这一特性主要由铁电材料的非线性介电行为导致,需在电路设计中特别注意。

基本原理
MLCC的介质材料(如钛酸钡)具有高介电常数,但其极化能力在高电场下趋于饱和。当施加直流电压时,内部电偶极子沿电场方向有序排列,导致介电常数降低,电容值随之减小。 ‌

影响因素
‌封装尺寸‌:相同容量下,封装越小,直流偏压效应越明显(如0603封装衰减可能比0805低40%)。 ‌

‌材料类型‌:X7R/X5R等高介电常数材料更易出现显著衰减,而Y5V在偏压下衰减可达98%。 ‌

‌电压与温度‌:电压越高或温度越高,容量衰减越严重(如12V偏压下X7R电容衰减率可达68%)。 ‌


电路设计注意事项
‌降额设计‌:工作电压建议不超过额定电压的50%(如12V电路选25V以上电容)。 ‌

‌选型原则‌:大容量需求需匹配更大封装(如10μF以上建议使用1210及以上封装)。 ‌

‌厂商差异‌:不同品牌同规格电容的容量保持率可能差异显著(如村田1204封装比某品牌高25%)。 ‌

应用限制
仅适用于无偏压的交流耦合或对精度要求低的场景(如Y5V电容)。 ‌

高压或高精度场景需优先选择薄膜电容或铝电解电容。 ‌

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19#
ID:149642 发表于 2025-12-3 08:13 | 只看该作者
发表于 2025-11-27 10:26
钽电容大量用于精密仪器的退耦、滤波电路中,在高价值的小信号电路中普遍存在,这和它的品质有关。

固体钽电容还有品质可言?液体钽电容也就寿命长一点。
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20#
ID:149642 发表于 2025-12-3 08:14 | 只看该作者
angmall 发表于 2025-11-30 19:10
退耦滤波对容量精度无要求的这种场合还有高分子聚合物电容MLPC, 这是另一个优秀的现代选择,它结合了MLC ...

现在也就几毛钱一颗了,成本不高了
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21#
ID:149642 发表于 2025-12-3 08:15 | 只看该作者
发表于 2025-12-1 09:04
钽电容内阻小,纹波小,但是价格贵,没有成本压力的设计才考虑的

内阻小个嘚,你看看电容器手册吧,
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22#
ID:149642 发表于 2025-12-3 08:17 | 只看该作者
发表于 2025-12-1 09:30
现代精密电子设备中好像都被层叠结构的这种电容取代了?

没有,固态叠层型铝电解电容器2v和2.5v还行,高压产品故障率太高,成本也高,性价比不高。也就笔记本,显卡等在用。
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