单片机是3.3V如何驱动大功率mos管

ID:1146155 · 发表于 2026-1-8 13:23

mos型号80N10 单片机stm32 供电电压两节3.7v锂电池串联

ID:491875 · 发表于 2026-1-8 18:56

低压MOS管可以直接驱动，高压大功率MOS管可以先进行电平变换再驱动

ID:888148 · 发表于 2026-1-8 20:38

最简单的就是栅极驱动器.
比如UCC27517

ID:1133081 · 发表于 2026-1-8 21:20

80N10算高压大功率NMOS管，100V100A，阈值电压较高，典型应用VDS=10V。最低VDS不宜小于6V。故VCC3.3VMCU不能直接驱动，需要提高驱动电压。
无标题.jpg

ID:1064915 · 发表于 2026-1-9 08:23

单片机作用是控制，驱动需设计驱动电路

ID:592807 · 发表于 2026-1-10 15:15

WL0123 发表于 2026-1-8 21:20
80N10算高压大功率NMOS管，100V100A，阈值电压较高，典型应用VDS=10V。最低VDS不宜小于6V。故VCC3.3VMCU不 ...

60V最好隔离一下

ID:879809 · 发表于 2026-1-10 17:21

WL0123 发表于 2026-1-8 21:20
80N10算高压大功率NMOS管，100V100A，阈值电压较高，典型应用VDS=10V。最低VDS不宜小于6V。故VCC3.3VMCU不 ...

Q1Vgs超过20V必烧，你这个电路名叫“MOS管毁灭者”。

ID:342822 · 发表于 2026-1-10 23:26

ID:491875 · 发表于 2026-1-11 10:41

taotie 发表于 2026-1-10 23:26

这个可以，不过是反相输出，同类型的同相输出的MCP1416

ID:420836 · 发表于 2026-1-12 01:02

请按照数据手册的要求提供所需的栅极驱动逻辑电平，并使用逻辑电平转换器。

ID:230500 · 发表于 2026-1-12 11:53

不说完整应用电路，直接说能不能驱动怎么驱动都是空话。我们直接告诉你 3.3V不能直接驱动。或者直接告诉你，需要加个栅极驱动芯片或者加一级三极管放大后再驱动，或者加光耦隔离后驱动，或者加运放后驱动或者。。。。。。。。

ID:57657 · 发表于 2026-1-12 21:33

至于驱动电路具体看MOS管源极漏极接的什么东西，是否对开关频率有要求? 光耦只适合低频驱动。

ID:1146155 · 发表于 2026-3-7 18:34

黄youhui 发表于 2026-1-10 15:15
60V最好隔离一下

如果用光耦一端单片机另一端驱动mos可以吗

ID:491875 · 发表于 2026-3-7 21:17

npn 发表于 2026-1-12 21:33
至于驱动电路具体看MOS管源极漏极接的什么东西，是否对开关频率有要求? 光耦只适合低频驱动。

137之类的高频光耦可以传输较高频率

ID:1133081 · 发表于 2026-3-8 07:39

boos1234 发表于 2026-3-7 18:34
如果用光耦一端单片机另一端驱动mos可以吗

MOS管专用光耦TLP250

ID:401564 · 发表于 2026-3-8 19:15

如果只是一个开和关,那就单片机端口直接控制就行,不需要什么驱动电路
如果是PWM,电流不大的话,单片机直接控制一样的没有问题,2A以下电流不会的事
如果是电流大于2A了,那就得要用到驱动芯片了,自己用三极管驱动也行,网上的很多参考电路

ID:584814 · 发表于 2026-3-9 12:53

不讲MOS工作电压，只能告诉你不能直接驱动。
建议驱动信号通过光耦隔离给到驱动电路，没了。

ID:1074206 · 发表于 2026-3-10 12:35

直接某一个宝买一个mos驱动版，自己研究下就明白了

ID:412177 · 发表于 2026-3-10 15:55

通过光电耦合等等进行扩展

ID:382454 · 发表于 2026-3-12 11:54

本帖最后由 univers 于 2026-3-14 09:19 编辑

WL0123 发表于 2026-1-8 21:20
80N10算高压大功率NMOS管，100V100A，阈值电压较高，典型应用VDS=10V。最低VDS不宜小于6V。故VCC3.3VMCU不 ...

你这个电路栅极不了加一个10V-12V的钳位稳压管么？前面还要串一个电阻。不这样搞的话，不是会把MOS给搞穿嘛。
最好是驱动电压与MOS供电电压分离，安全、稳定。

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