一直是使用野火的例程学习STM32，而他的书里面没有讲到STM32的Flash操作，所以一直以为STM32不能对Flash进行操作。后来想到连STC这等国产8位机都可以进行Flash操作，想必STM32也可以，所以对此进行了一番小研究。
其实STM32的库里面就有专门针对Flash的程序，还有一个专门的文档，且的中文版本，名字叫《PM0042 STM32F10xxx闪存编程》（见附件）。
手头开发板上芯片是STM32F103C8T6，片上Flash为64KB，按ST定义，属于中容量的，下表就是中容量内存组织。
文档中对写Flash有专门的描述，重要的知识点包括但不限于：
1）擦除操作只能是页擦除或全部擦除。
2）写操作只能是每次写入16-bit，即双字节。
3）在擦除之前，要先写两个键值KEY1（0x45670123）和KEY2（0xCDEF89AB）到FLASH_KEYR寄存器，以解除闪存锁。
我们的程序基本流程是，先读取Flash中一个固定地址的数据，然后通过串口打印，再修改此数据，修改后再读回来。
这是写Flash的程序：
void Writeflash(void)
{
FLASH_Unlock();
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR | FLASH_FLAG_WRPRTERR);
FLASHStatus = FLASH_ErasePage(StartAddress);
if(FLASHStatus == FLASH_COMPLETE)
{
FLASHStatus = FLASH_ProgramWord(StartAddress, 0x12345678);
USART1_printf(USART1, "\r\n");
}
}
FLASH_Unlock()就是完成解除闪存锁的工作，以下是FLASH_Unlock()函数的实现。
void FLASH_Unlock(void)
{
/* Authorize the FPEC of Bank1 Access */
FLASH->KEYR = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR = FLASH_KEY2;
#ifdef STM32F10X_XL
/* Authorize the FPEC of Bank2 Access */
FLASH->KEYR2 = FLASH_KEY1;
FLASH->KEYR2 = FLASH_KEY2;
#endif /* STM32F10X_XL */
}
FLASH_ErasePage()函数就是完成擦除整页数据功能，FLASH_ProgramWord()是向Flash固定的地址写入一个32-bit数据。
程序进行相应修改可以做成通过USART对Flash操作，比如，通过串口发送数据，修改Flash中的数据。
对Flash的操作用处很多，比如在CAN网络中可以在Flash中预先设置CAN的地址，也可以通过can通信在线修改地址，再比如在温度测量控制系统中可以在Flash预置传感器的标定值等。
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