T2级和G间用万用表测试，双向阻值均为无穷大，T1和G之间双向都有很小的电阻，用二极管档测，双向压降都很少0.3V甚至更小0.03V.
记着一点就是T1和G之间存在电流通过，即可触发可控硅的导通，属于流控器件，下图中模式2和模式4理论上可行，但实际应用估计会很少很少，原因在于需要两组电源来供电，模式1和3只单组电源供电即可完成
应用分析1--（错误的应用）如下图
当MCU输出高电平时，可控硅的G极与T1间存在电流是必然的，所以它会导通，当MUC输出低电平时，由二极管的桥堆形成的电源是无法向G极提供电流的，但是我们再来分析下：交流正半同，假设VCC为9V，即细化桥堆后C点电压为9V，那么可得知如下
C=9V
D=9.7
A=0
B=-0.7
而可控硅G极电压由Mcu输出为低电平，即0V,所以T1和G间有压降即BA间的电压0.7V,这个电压极有可能使可控硅导通，当然负半周的分析也极其相似，且BA间的电压至少9.7V，更加会可靠导通，所以此应用无法关断可控硅，非正确的应用
应用分析2---（正确的应用）
如下图，设想MCU输出高电压，由7805构成的电源经G极流向T1到地，所以能可靠导通，当输出低电平时，7805的地和T1是同极，所以不可能有电流通过。
接着再分析正半周时，G极和T1电位都为地，所以不存在电流。
负半周时，N的电压为正，T1假设经流经G，但G的电流无法再经7805流到L上，另外由于下图中竖着摆放的二极管导通，反向仅有0.7V的压降，基本等于短路，没有任何导通的理由。
所以下图是正确的可控硅应用的电路.注意G极加适当电阻，来限流。
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