stm32写flash时候，注意必须是4字节对齐，这跟它的内部接口是有关的。
最近在学STM32，要用到内部flash存点数据，一开始在网上看了很多例程，自己写了一个，当到单片机中，一点反应没有，于是又到网上看了又看，找啊找，发现这样的读写内部flash的软件不多，而且说的也不是很明确（个人观点），特地总结了一下，希望对刚学STM32的小伙伴有帮助。
注意：写数据的地址（红色字），如果你的boot1=x,boot0=0,那么你的启动模式是用户闪存存储器，而这个用户闪存存储器的地址就是0x08000000。这个很重要！！！！！我用的是STM32F103VET6,下面是写内部flash的子程序： #include "flash.h"
#define STARTADDR 0x0807F800 //主存储器第255页首地址 volatileFLASH_Status FLASHStatus = FLASH_COMPLETE;
void ReadFlashNBtye(uint32_t ReadAddress, uint8_t *ReadBuf,int32_t ReadNum) { int DataNum= 0; ReadAddress = (uint32_t)STARTADDR +ReadAddress; while(DataNum < ReadNum) { *(ReadBuf + DataNum) =*(__IO uint8_t*) ReadAddress++; DataNum++; }
// return DataNum; }
void WriteFlashOneWord(uint32_t WriteAddress,uint32_tWriteData) { FLASH_Unlock();
FLASH_ClearFlag(FLASH_FLAG_BSY |FLASH_FLAG_EOP | FLASH_FLAG_PGERR |
FLASH_FLAG_WRPRTERR); FLASHStatus = FLASH_ErasePage(STARTADDR);//擦除一页 FLASH_EraseAllPages():擦除全
// 部 FLASH 页面 if(FLASHStatus ==FLASH_COMPLETE) { FLASHStatus= FLASH_ProgramWord(STARTADDR + WriteAddress, WriteData); }
FLASH_Lock();
}
函数调用：例：u8 Temp_Data[4] = { 0};
WriteFlashOneWord( 0 , 0x12345678 );delay_ms(10);
ReadFlashNBtye( 0 , Temp_Data , 4 ); delay_ms(10);
这样数据就写入了内部flash，读出时就放在了Temp_Data[4]中。
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