关于温度传感器试验ds18b20芯片资料不正确

hi

我发现在温度试验中，根据给的ds18b20芯片资料，其应该是8位传感器，其给出的温度的例子为：

温度          高位                   低位

+125        0x00                 0xFA

+25          0x00                 0x32

+0.5         0x00                 0x01

0              0x00                 0x00

-0.5          0xFF                 0xFF

-25           0xFF                 0xCE

-55           0xFF                 0x92

根据上表，程序似乎采集温度程序似乎应该这样写：

if (temph > 0) // 负号处理

{

    templ = (~templ)+1;

    f = 1;

}

tempdf = templ & 0x1; // tempdf > 0 代表0.5度

tempint = templ>>1;

但是这样在实际板子上显示结果不正确。

通过读程序，发现templ的低4位是小数，temph的低4位加上templ的高4位组成温度值的整数部分，因此应该是十二位的温度传感器，不知道我的理解对不对？

如果正确请提供板子上温度传感器的正确资料，谢谢!

另外，程序在22.1184MHz晶振下工作正常，在11.0592MHz下LED数码管不停闪烁，不知道是什么原因？

   资料难道有误？待我仔细看看.

   我一共了提供了 3个以上的 ds18b20 程序，其中有一个c语言写的精度是0.5度，其他的精度都是0.1摄氏度晶振 都是11.0592 或者是12m 的 .

hi

温度试验的源程序：

void read_ds1820()                //读
{
 uchar delay,i,j,k,temp,temph,templ;
 j=2;                           //读2位字节数据
 do
 {
  for(i=8;i>0;i--)            //一个字节分8位读取
  {
   temp>>=1;                //读取1位右移1位
   TMDAT=0;                 //数据线置低电平
   delay=1;
   while(--delay);          //延时2us
   TMDAT=1;                 //拉高总线
   delay=4;
   while(--delay);          //延时8us
   if(TMDAT)temp|=0x80;     //读取1位数据
   delay=25;
   while(--delay);          //读取1位数据后延时50us
  }
  if(j==2)templ=temp;         //读取的第一字节存templ
  else temph=temp;            //读取的第二字节存temph
 }while(--j);
 f=0;                           //初始温度标志为正
 if((temph&0xf8)!=0x00)         //若温度为负的处理，对二进制补码的处理
 {
  f=1;                        //为负温度f置1
  temph=~temph;
  templ=~templ;
  k=templ+1; // 下面几行代码应该在判断是否溢出，当templ取反恰好等于255时，加1将溢出，此时templ将为零
  templ=k;

//我觉得是否可以根据PSW.Cy来判断溢出，if (CY != 0)作为判断条件
  if(k>255)  // 当k>255时判断为溢出情况，所以k似乎应该声明为short型
  {
   temph++;
  }
 }
 tempdf=templ&0x0f;            //将读取的数据转换成温度值，整数部分存tempint,小数部分存tempdf，这里可以看出，小数部分是低字节的低4位
 templ>>=4;
 temph<<=4;
 tempint=temph|templ;  // 温度整数部分是高字节的低4位在加上低字节的高4位
}