5v单片机驱动BUCK电路的MOS管

ID:113276 · 发表于 2016-4-10 21:46

图一：适合开关频率不高的场合，一般低于2KHz。

其中R1=10K，R2 R3大小由V+决定，V+越高，R2 R3越大，以保证电阻及三极管功耗在允许范围，同时保证R2和R3的分压VPP=V+ 减10V，同时V+不能大于40V。补充：图二：适合高频大功率场合，到达100KHz没问题，同时可以并联多个MOSFET-P管

R2 R3需要满足和图一一样的条件，其实就是图一加了级推挽，这样就可以保证MOSFET管高速开关，上面6P小电容是发射结结电容补偿电容，可以改善三极管高速开关特性。另外：MOSFET的栅极电容较大，在使用的时候应该把它当成一个容抗负载来看。

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