设计电源时的注意事项，大家可以看看，学习学习
目 录
1 为什么要重视电源噪声问题？.................................................................... - 1 -
2 电源系统噪声余量分析................................................................................ - 1 -
3 电源噪声是如何产生的？............................................................................ - 2 -
4 电容退耦的两种解释.................................................................................... - 3 -
4.1 从储能的角度来说明电容退耦原理。.............................................. - 3 -
4.2 从阻抗的角度来理解退耦原理。...................................................... - 4 -
5 实际电容的特性............................................................................................ - 5 -
6 电容的安装谐振频率.................................................................................... - 8 -
7 局部去耦设计方法...................................................................................... - 10 -
8 电源系统的角度进行去耦设计.................................................................. - 12 -
8.1 著名的 Target Impedance（目标阻抗）.......................................... - 12 -
8.2 需要多大的电容量............................................................................ - 13 -
8.3 相同容值电容的并联........................................................................ - 15 -
8.4 不同容值电容的并联与反谐振（Anti-Resonance）...................... - 16 -
8.5 ESR对反谐振（Anti-Resonance）的影响...................................... - 17 -
8.6 怎样合理选择电容组合.................................................................... - 18 -
8.7 电容的去耦半径................................................................................ - 20 -
8.8 电容的安装方法................................................................................ - 21 -
9 结束语.......................................................................................................... - 24 -
电源完整性设计详解
1、为什么要重视电源噪声问题？
芯片内部有成千上万个晶体管，这些晶体管组成内部的门电路、组合逻辑、寄存器、计
数器、延迟线、状态机、以及其他逻辑功能。随着芯片的集成度越来越高，内部晶体管数量
越来越大。芯片的外部引脚数量有限，为每一个晶体管提供单独的供电引脚是不现实的。芯
片的外部电源引脚提供给内部晶体管一个公共的供电节点， 因此内部晶体管状态的转换必然
引起电源噪声在芯片内部的传递。
对内部各个晶体管的操作通常由内核时钟或片内外设时钟同步， 但是由于内部延时的差
别，各个晶体管的状态转换不可能是严格同步的，当某些晶体管已经完成了状态转换，另一
些晶体管可能仍处于转换过程中。 芯片内部处于高电平的门电路会把电源噪声传递到其他门
电路的输入部分。如果接受电源噪声的门电路此时处于电平转换的不定态区域，那么电源噪
声可能会被放大，并在门电路的输出端产生矩形脉冲干扰，进而引起电路的逻辑错误。芯片
外部电源引脚处的噪声通过内部门电路的传播，还可能会触发内部寄存器产生状态转换。
除了对芯片本身工作状态产生影响外，电源噪声还会对其他部分产生影响。比如电源噪
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