关于MOS管反接保护电路,二极管和三极管在这里的作用 -

标题: 关于MOS管反接保护电路,二极管和三极管在这里的作用 [打印本页]

作者: zjgcshy 时间: 2021-4-1 10:24
标题: 关于MOS管反接保护电路,二极管和三极管在这里的作用
以上是英飞凌给的TLE987X的反接保护电路，12V系统。mos S极是Vbat，D极是负载。Rrp1电阻右边是MCU升压电路得到的电压，应该在24V左右，反接时不输出电压。求教二极管和三极管在这里的作用

作者: zsw3721 时间: 2021-4-1 12:43
我来说说，不一定对哈。发生充电器反接时，电池负极接成了充电器正极，会通过基极电阻产生基极电流使三极管导通并将MOS的G极电位拉低，以关断MOS实现保护。二极管的作用是在MOS关断瞬间，阻止反向尖峰损坏三极管等器件。

作者: sml008 时间: 2021-4-1 17:30
实际上内部VCP是通过二极管钳位到地的。电池反接时，三极管导通，相当于把mosfet及以后的电路短路了，对后级电路而言没有电压输出，也就保护了后级电路。

作者: william_wangxb 时间: 2021-4-1 23:08
图中是一颗增强型的NMOS管，正常连接时，G_S电压超过阈值，管子就导通了，反接时NPN三极管基极高电平则导通，通过二极管续流到地线，G点电位下降，关断MOS管起到了保护作用，楼上说得对

作者: paladina 时间: 2021-4-2 14:18

zsw3721 发表于 2021-4-1 12:43
我来说说，不一定对哈。发生充电器反接时，电池负极接成了充电器正极，会通过基极电阻产生基极电流使三极管 ...

我觉得二极管不是防止尖峰而是因为三极管Vebo只有5-6v，正接24v 会击穿的

作者: sml008 时间: 2021-4-2 16:46
二极管（Drp）的作用是防止正常工作时三极管（Trpg）被击穿，。二极管（Drp）也可以换个位置接到Rrp2和地之间，阳极接地。paladina 说的是对的。

作者: TTQ001 时间: 2021-4-3 08:55
当电池极性反转时，晶体管TRPG导通并拉低MOSFET栅极的电压以立即将其关闭。当电池正常连接时，二极管用于保护晶体管TRPG免受反向电压的影响。

作者: 霞霞 时间: 2021-4-3 10:19
1防反接 2兼限流

作者: guobaox1981 时间: 2024-8-21 21:18
供电正常时MOS内部并联二极管提供启动电流，MOS压降0.7-1V较高，紧接着IC工作VCP自举升压。VCP与+BAT之间产生12V电压，通过RP1,加在MOS管GS上，驱动MOS完全导通。MOS压降极低，压降可忽略。
无二极管电源电压经RP1加在三极管发射极。三极管Vbe反向最多只有8-9V，电源电压超8V 三极管就会击穿损坏。
当供电接反时，MOS管S脚对地是负电位。MOS内部并联二极管不导通。电流从地到电阻 RP2到三极管Be到二极管Drp到+BAT，形成放大开关电路三极管CE导通，短接MOS的GS。 IC已有反接保护二极管。VCP可认为时浮动状态或高阻接地。驱动无效。从而保护后级

作者: donglw 时间: 2024-8-22 07:04
其功能详见帖子：http://www.51hei.com/bbs/dpj-236102-1.html

作者: coody_sz 时间: 2024-8-22 09:48
仿反接的电路。
电源正常连接时，二极管用于防止输入电压反向击穿三极管的VBE（超过-5V就会开始击穿），IC通过电容BOOT自举让MOSFET导通。
电源反接时，二极管导通，三极管导通，将栅压VGS嵌位在一个二极管压降0.6~0.7V，MOSFET不通。

作者: xianfajushi 时间: 2024-8-23 09:36
场效应管看GS端就知道是控制开关的,三极管导通VGS电压减小,至于二极管为反向保护三极管基射极反向耐压而设,这种场效应管符号在IN仿真软件一时没找到.

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