单片机驱动能力不足导致无法直驱MOSFET -

标题: 单片机驱动能力不足导致无法直驱MOSFET [打印本页]

作者: xxxhd 时间: 2024-7-26 17:36
标题: 单片机驱动能力不足导致无法直驱MOSFET
如图，Vgs(th)最大2.5v，而单片机是3.3v的，关键是雾化片是2.4M的雾化片。现在直驱无法驱动，波形失真，这么高的速率a点峰值不到3v，且失真严重。我本来想用推挽驱动试一下，但是NP方式总会有一个压降，而b点在运行时电压会态高，导致可能会导致低于Vgs(th)无法打开。各位大佬有什么办法吗？

PS：成本感人，尽量低成本不换MCU

雾化片驱动电路.jpg (132.63 KB, 下载次数: 18)

电路图

作者: donglw 时间: 2024-7-27 02:12
MOSFET选用AM2326N的Vgs(th)=0.9V，请详见我的帖子：
http://www.51hei.com/bbs/dpj-236102-1.html

作者: devcang 时间: 2024-7-27 11:30
io强推挽，应该能改善一些

作者: npn 时间: 2024-7-27 12:26

devcang 发表于 2024-7-27 11:30
io强推挽，应该能改善一些

我不确定楼主什么单片机，并不是所有型号都有强推挽功能。

作者: 蓝蓝小星星 时间: 2024-7-27 12:27

donglw 发表于 2024-7-27 02:12
MOSFET选用AM2326N的Vgs(th)=0.9V，请详见我的帖子：
http://www.51hei.com/bbs/dpj-236102-1.html

这是20v耐压的管子，15N10可是100V耐压的。

作者: donglw 时间: 2024-7-27 13:05

蓝蓝小星星发表于 2024-7-27 12:27
这是20v耐压的管子，15N10可是100V耐压的。

再串个满足电压、电流要求的三极管即可。

作者: Y_G_G 时间: 2024-7-27 22:02
1,单片机先改成强推挽模式试一下,如果单片机没有强推挽模式,可以加一个SN74LVC1G17之类缓冲器试一下
2,或者不要接Q2,用示波器先看一下单片机输出的波形行还是不行,有的单片机输出1MHZ以上频率的PWM,出来的波形都有点像正弦波了,MOS管在这个频率下,它就不是一个电压驱动型的元件了,它就是电流型的,是要有一定驱动电流的了

作者: STM32AA 时间: 2024-8-1 21:45
推挽输出不应该驱动不足。

作者: rayin 时间: 2024-8-12 08:10
单片机IO口的电平输出只有0-3.3-5V, 驱动MOS管电压范围不够, 可以增加三极管扩展输出电压范围来驱动MOS管.

作者: univers 时间: 2024-8-22 15:29
不建意这样用MCU推，第一力不够。第二很容易把MCU烧坏。一般都是加一个缓冲输出。这种芯片网上大把。

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