如果主控管，也就是SW信号来源是P沟MOSFET则不需要bootstrap电容。

但是对于硅材料来说，同样成本，N沟比P沟性能好，反过来说同性能N沟比P沟成本低，这样最大的那个管子，也就是跨接在IN和SW之间的主控管，最好使用N沟，但是N沟MOSFET的栅极电压要高于源极电压（SW），又要低压差（稳定后，IN-SW电压越低越好），就要凭空变出一个比IN电压还要高的驱动电压，这样，bootstrap电容就是干这个用的。

BOOT电容，自举电容。

是升压电路的话就是自举电容了

去耦电容是电路连接在元件的电源端的电容，此电容可以提供较稳定的电源，同时也可以降低元件耦合到电源端的噪声

/www.docin.com/p-2019723729.html
这个文章解释得比较清楚。

lfc315 发表于 2019-10-15 15:35
上面答案都是错的；
你看那个引脚的名字：BS，应该是BOOST的缩写；
其实就是自举电容，作用是提升BS脚电 ...

能解释一下具体过程吗？谢谢！

上面答案都是错的；
你看那个引脚的名字：BS，应该是BOOST的缩写；
其实就是自举电容，作用是提升BS脚电压；
因为芯片内部是类似下图这样的架构：

好好看数据手册，讲的很清楚，给上管的门极驱动信号。

满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。

去耦电容，把输出信号的干扰作为滤除对象，满足驱动电路电流的变化，避免相互间的耦合干扰。