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本帖最后由 我，菜鸡 于 2020-11-13 11:02 编辑 非常感谢各位的回复，刚刚搜索了相关资料，对于三极管的控制原理也有了进一步认识（若有不当之处，敬请指正，以NPN三极管为例）： 1.三极管有两个PN结，毋庸置疑；当P区电压大于N区电压，并且克服内部电场作用时（表现为：导通电压降），PN结正向导通，起主要作用的是多数载流子，也叫多子。 2.PN结反向截止状态，并不是100%的截止，仍有少数载流子（少子）在内部场强的作用下（内部场强对少子运动有促进作用），可以使P-N区导通，通道极小，漏电流极低，但确是一条通路。 3.三极管的E区主要作用：为B区提供更多的载流子。 4.三极管B区的主要作用：为B-C区提供更多的少子，以便产生更高的漏电流。 5.所以，只要B-E区克服内部场强，正向导通，（因为B-C区内部场强的作用，它就是导通状态），就可以实现三极管导通。由于三极管控制的是漏电流大小，而漏电流本身就很小，所以放大只适用于小电流。 6.B极的电流大小可以体现E区载流子流向B区的程度，换个角度来说，控制B极电流大小即可以控制E区电流大小，可以粗略认为关系是：Ic=Ib*（1+放大倍数） 7.三极管C极电压对Ic没有多大影响，C极电压主要是维持B-C区PN结反偏，使少子运动，产生漏电流。 8.三极管饱和状态，即两个PN结都正向导通 9.三极管截止状态：只要E-B区反向截止。不排除说E-B区的截止不是100%截止，但是由于B-C、B-E都处于截止状态，0.1%*0.1%是个极小的数值，一般情况可以视为断路。PS：绝缘都是相对的，并不存在完全绝缘的物体。 |
| 正方向不大于0.7也就是模电的一个二极管导通的最小电压，所以它导通不了。。。 |
| 我只能说它会处于未知状态。 |
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截止状态 |
Y_G_G 发表于 2020-11-19 13:50 噢噢，看到了，谢了。 |
Y_G_G 发表于 2020-11-19 13:50 哦。我再看看 |
我，菜鸡 发表于 2020-11-19 08:50 怎么会100多呢,马云家里正版的上下两册才41块呢 |
Y_G_G 发表于 2020-11-19 00:20 再次感谢大佬，顺便再问一下，FET、运放、IGBT之类的元件有没有类似的实用型好书推荐。 |
我，菜鸡 发表于 2020-11-14 15:13  |
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谢谢您的回复。确实，仿真和实际有区别。关于负载接在C极和接在E极的区别，我在之前的别人的文章里也看到了一些，只是我后来再去看的时候，发现画的图有点点小问题。 |
Y_G_G 发表于 2020-11-19 00:20 就向您说的，“为什么？”，这也是我想要知道的。 |
Y_G_G 发表于 2020-11-19 00:20 哈哈，不用尽早，我现在就来感谢您，谢谢您给我的推荐！顺便问一下，正版的是100多吗，我看还有70多的？ |
| 实践出真知！有问题就对了，搭个实验电路，测测就能学到些东西了 |
我，菜鸡 发表于 2020-11-18 17:29 这不是我的想法,这是前辈们总结出来的经验 照你这场强,载流子这方向发展,这是做三极管用的,不是电子用的 如果你不去学习三极管的本身的放大,频率特性,很有可能你学了半年的三极管,结果都还不知道怎么设计一个实用型三极管放大电路,不信你试一下静态工作点怎么设定?这个电阻为什么要用4.7K的,5K不行吗? 为什么电阻都是以2.1K,3.3K,4.7K,5.1K,7.5K之类的为常规电阻?难道不能是2K,3K,4K,5K吗? 这都是和三极管放大电路有关的.......... 这本书的内容才是你要看的,你可以不信,但如果你看了,你尽早会感谢我的 
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xianfajushi 发表于 2020-11-18 12:53 我知道啊，事物肯定有，仿真也试了，但是我也不能保证测试环境因素，毕竟小白，所以，来请教大佬们怎么破啊，毕竟我，菜鸡一个哈  |
sj904 发表于 2020-11-18 01:23 哈哈，到时候如果脑子不够用了我肯定看看哈  |
Y_G_G 发表于 2020-11-17 13:48 嗯嗯，您说的这些应用方面我目前确实不知道，感谢您的指点。但是同样的，可能个人想法每个人都是不一样的，您的想法也许是最适合您的，但是我可能更想知道我想要了解的东西。  |
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| 要知道仿真与真实三极管是不同的。 |
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| 这个在截止状态呀，be是没有电流流动的。 |
| 超级晶体管，哈哈。。。。 |
| 很简单，一个三极管可以看成两个二极管，每个二极管两个状态，开与关，两个二极管组合成一个三极管，一共四个状态，分别是开开，开关，关开和关关。二极管开与关看电压就行。 |
| 发射结反偏，三极管截止！ |
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就这么一个简单的东西,怎么就生出那么多问题出来呢?竟然要扯到载流子,PN内部场强这玩意了,这玩意一点用都没有,除非你是要设计半导体芯片对于电子应用,你要知道的并不是这些个知识 不管是PNP还是NPN,它导通的条件就是:B极有正向电压和正向电流,有了这个条件,三极管的CE两个极就是导通了,你只要记住这一点就可以了 对于单片机应用,你要知道B极高电平导通还是低电平导通就可以了,不要去管那什么载流子,那玩意没用,至少在电子这一块是没用的,那是半导体制造方面的 对于模拟电路,你知道的是怎么设计一个放大电路的静态工作点,和设定放大倍数,还有负反馈电路 如果是高频,你得知道怎样让一个三极管的频率特性处于最佳状态 三极管的原理不是载流子,场强什么的,那是做三极管,不是用三极管 三极管的原理是:它的频率特性,放大倍数,组成放大电路的特性,静态工作点的设计,驱动电流的大小,随便找一个三极管的数据手册看一下,就知道了 不要穿牛角尖,有条件搞几个三极管直接焊测试验证一下,没条件就用软件仿真,分析三五天,还不如几个小时验证一下 |
sj904 发表于 2020-11-16 23:16 嗯，谢谢您的回复。您的解答包含三极管的规律性，适合运用方面，是一条捷径。但是关于原理方面，我觉得还是必须知道一些比较好，知其然，知其所以然。 |
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不用这么复杂，只要记住先一点，三极管是电流控制器件，在放大状态下C极的电流等于B极的电流乘以放大倍数，I_C=I_B*放大倍数，这个很好理解吧， 我们实际计算一下，如下图：假设VCC=5V,RC=1K,三极管放大倍数=100 当I_B=0.01mA, I_C=0.01*100=1mA, RC的电压为1V， 当I_B=0.02mA, I_C=0.01*100=2mA, RC的电压为2V， 当I_B=0.03mA, I_C=0.01*100=3mA, RC的电压为3V， 以上为放大状态，I_C的电流会随I_B的电流增大而增大，减小而减小， 那么问题来了， 当I_B=0.06mA, I_C=0.01*100=6mA, RC的电压应该为6V，可是VCC只有5V，所以这个时候RC的电压为接近5V， 当I_B=0.06mA, 0.07，0.08时，由于VCC只有5V，所以RC的电压还是5V，这个时候I_C的电流不会随I_B的电流增大而增大，这就是饱和，就是I_B*放大倍数得到的电流不能等于大于VCC/RC，实际上还要留点余量。 如果这个时候把VCC提高到12V，I_C的电流会随I_B的电流增大而增大，三极管又进入放大状态了，这样说不知道楼主明白没有。
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截止状态，be没有电流流动 |
| 晶体管处于截止状态。 |
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明显截止状态，be没有电流流动 |
nanfuB 发表于 2020-11-14 19:14 考虑一下外界影响因素，应该可以行得通吧。 |
hejianmin 发表于 2020-11-14 18:07 拆解为两个PN结，一个反偏，一个正偏。高电位流向低点位，然后加上外界电路的影响，电位差值不一定就是导通电压降，作为三极管出现这种情况是完全有可能的。 |
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请判断两个结： 发射结je 集电结 jc 然后判断把，截止：je反偏 放大 je正偏 jc反偏 饱和 je jc都正偏 |
| 对于双极型NPN三极管而言，这个发射结反偏，而集电结正偏。Ibe为其反向漏电流，集电结相当于一个二极管，压降下只有0.7V。这个电路参数应该在MOS管电路中。 |
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BE正向电压低于0.5V截止 BE正向电压在0.6到0.7放大。 BE正向电压大于0.8V饱和。 |
| 如果都是对地电压,这不是一个三级管,是一个MOS管才对 因为三极管硅管是0.7 锗管是0.3V 压差 |
组图打开中，请稍候......
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