增强模式和耗尽模式MOSFET之间的主要区别在于,施加到E-MOSFET的栅极电压应始终为正,并且具有一个阈值电压,高于该阈值电压它将完全导通。 对于D-MOSFET,栅极电压可以为正或负,并且永远不会完全导通。 另请注意,D-MOSFET可以在增强和耗尽模式下工作,而E-MOSFET仅可以在增强模式下工作。 到目前为止,大多数MOSFET都是“增强模式”器件。 |
Y_G_G 发表于 2020-11-23 11:57 嗯,谢谢解答。我就是很困惑一直来学的N沟道mos管都是上面那个。我以为生产工艺上都是完全一致的。后来看到下面这本书,用的n衬底,结构也不一样,原理也不一样就挺困惑 |
mvwtest 发表于 2020-11-23 12:08 主要是我要给大一小朋友讲这个课 。我不懂 怕误导他们 |
看來你現在仍然處於紙上談兵階段,要想更好的理解,建議購買各種類型的晶體管進行實踐測試,包你事半功n倍 |
MOS管是管 三极管也是管,三极管不也是分为两种吗:PNP和NPN型 那MOS管不还得分几种的:那它不是分了好几种的, 增强型和耗尽型 而增强型和耗尽型都有两种沟道:P沟道和N沟道,那就一共是四种了,目前我听说过的就这四种,其它的应该还有,我用不着,就不管了 最常用的是增强型的,就简单的高电平或者低电平导通, AO3400是N沟道增强型MOS管,高电平导通,DS极有寄生二极管 AO3401是P沟道增强型MOS管,低电平导通,DS极有寄生二极管 想学会就去马云家买,10块钱能买几百个,随便你玩 |
器车人 发表于 2020-11-23 10:07 结构不同 原理也不同。你没发现吗? |
这有什么问题吗,两个都是Nmos,只是图画的不一样而已,上图比较贴近教材 |
chenyinhu 发表于 2020-11-23 09:35 下面说是电力mosfet |
TTQ001 发表于 2020-11-23 09:26 谢谢。都是N沟道。但是称底不同,我就挺疑惑的 |
faithblue 发表于 2020-11-23 00:29 这两个都是n沟道 |
我感觉上面那种更常见一点 |
MOSFET晶体管具有许多不同的结构设计。在教科书中,它们通常仅给出通用类型的简化图示。 |
mos管也有细分的,n和p沟道型。 |