PEB188 发表于 2021-10-31 22:28 如果为了驱动MOS管，有专用IC,这个可以参考一下https://wenku.baidu.com/view/10d13e1aa300a6c30c229fba.html，你的那个电路肯定不行，也可以尝试使用光耦进行电平变换再加功率放大驱动MOS管（频率不高可以直接使用光耦隔离电平变换驱动而不用进行功率放大，点焊机属于低频驱动，不用进行功率放大，可以直接使用光耦隔离进行电平变换驱动） |
老愚童63 发表于 2021-10-30 16:13 是用于驱动点焊机多个mos管，我在12v那加了个pnp 管，这样不工作就不会对地放电了。就是不知道那么多级开关管，会不会影响开关速度 |
名字不是重点 发表于 2021-10-30 09:51 不是驱动led，在做点焊机，灯只是仿真时候看是否导通。 |
| 不知道你设计这个电路的目的是什么，如果仅仅为了驱动LED，可以直接有单片机驱动。而你这个电路即使前面全部正常，LED不限流也很危险，除非是闪烁发光二极管或者带阻LED |
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本帖最后由 老愚童63 于 2021-11-1 07:56 编辑 所以说，你这个电路根本就无法正常工作！这个电路可以参考一下，因为是低频驱动，所以可以直接使用光耦驱动MOS管 |
51hei图片20211101075017.jpg (1.58 MB, 下载次数: 39)
光耦隔离电平变换.gif (197.75 KB, 下载次数: 36)
| +12V-R4-R3-Q16的BE形成回路导致Q16导通，即使Q16不导通也会因为R3-R4-Q16的BE结回路导致Q13饱和导通！你说耗电不？ |
| 你这个电路只是驱动一个灯，为什么要这么整？很是好奇。 |
baobao125 发表于 2021-10-29 09:40 我删除了，我的图不对。不可以。 |
| 如果电路不工作但有电流，这意味着电路中有一些泄漏。 |
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你那图怎么不见了，我仿真了你那接法，还是会在不工作的时候对地放电 |
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检查三极管导通问题 |
npn 发表于 2021-10-28 20:31 不是单片机配置问题，是电路有问题，Q18导通截至，12V都会对地放电，太耗电了 |
| 如果让电路停止工作，请将单片机配置为掉电模式 PCON |=0x02; 可由外部中断唤醒。 |
本帖最后由 名字不是重点 于 2021-10-28 22:14 编辑 baobao125 发表于 2021-10-28 19:51 这么接法 |
名字不是重点 发表于 2021-10-28 19:05 Q16和Q14对调不是直短路了？ |
| p34输出0，Q18截止，12V经R4/R3加至Q16的B极，Q16导通，Q16的C极电压约等于12V减Q16的Vce，故Q13的栅极约12V。你把Q16/Q14位置对调一下就好了。 |
yaosongjin 发表于 2021-10-28 13:54 钳位二极是防止12V窜入单片机吗?现在我找出的问题是R4阻值弄错了，焊了个1K的，换成2.4K的，IO口处于低电平状态，电流正常了。 |
| 单片机IO口要加钳位二极管，你这个电路可能Q14,16,18都存在轻微的导通放个电压表量一下几个点的电压 |
lkc8210 发表于 2021-10-28 12:00 那账号在平板上，刚用平板回复的 |
PEB188 发表于 2021-10-28 11:03 楼主你忘了换账号  |
fj51hei 发表于 2021-10-28 10:53 烧单片机是测试后级电路，应该有电压从地流入单片机才导致烧穿，这不讨论。图我是这样画的，但d5不是led灯，是点焊机的焊笔，电流的上千A了。q13也是多个nmos并联 |
paladina 发表于 2021-10-28 09:47 实际测试r10用的10k的，开关正常的 |
yzwzfyz 发表于 2021-10-28 09:03 换三极管，那输出就成5v了啊 |
菜鸟yc 发表于 2021-10-28 08:30 应该怎么改才可以让q18高电平导通的时候后级才有输出，q18关断的时候后面全部断开不再对地放电。 Q13是多个nmos并联。D5是千A以上电流，单片机到时候加大电容保护。 |
paladina 发表于 2021-10-28 09:47 这个说的透彻，有理，但楼主位的烧单片机是什么原因，想不明白，另楼主位的原理图很奇怪，为启动个LED，接那么多元件为什么，一个NMOS不就完，轻松上A的电流 |
aking991 发表于 2021-10-28 08:25 单独q18控制12v的Led我一直在用都没事啊，正常开关 |
| Q18 的导通电压不够，你用两个1k电阻分压，5V单片机的话也只有2.5v ，达不到很多mos管Vgs要求无法完全导通，造成Q16 Q14 都工作，电流耗在 Q16 Q14上， 6楼的方法可以的 ，或者换低Vgs MOS并且把R10换成10k |
| 将Q18换成NPN的三极管就可以了，如同Q16。 |
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你说：实际R10用得10K，Q13、R2你都没接的。Q18现在是低电平，Q13栅极电压12V左右？ 也就是说：R1两端为低电平（接地），12V通过R4、R3、Q16(b)、Q16(e)、R2到地。Q16导通，12V通过Q16(c)、Q16(e)到达Q13栅极。故Q13栅极电压12V左右。没问题。 当Q13导通时，MCU供电的5V通过D5短路到地，故电流达到100多mA的“大电流”，同时单片机有烧穿的风险。建议D5串个1K以上的电阻。 以上！ |
| 这样的电路是不对的，这种单片机控制Q18这边不能用12V，要用12V要加电平转换，否则会把电流回灌到单片机上 ，不信你量下P3.4脚是不是大于5V了 |
| 把电流达到100多mA时的Q18，Q16，Q14，Q13各极电压标出来就知道问题出在哪。 |
组图打开中，请稍候......
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