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关于STC单片机EEPROM读写操作误区

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发布时间: 2023-1-10 03:45

正文摘要:

最近在使用STC EEPROM时 踩了个坑    写入的数据  取出来 值不一样  查看STC手册时才发现 EEPROM 只能1写成0 不能0 写成1 正常需要写数据到EEPROM需要 先擦除数据整扇 ...

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ID:1057978 发表于 2023-1-14 18:23
coody_sz 发表于 2023-1-13 16:33
STC的EEPROM是FLASH结构,所有的FLASH都是扇区擦除的,擦除后全部是FF,写只能将1写成0,不能写成1.
多个 ...

老哥专业,学习了
ID:1034262 发表于 2023-1-13 16:33
STC的EEPROM是FLASH结构,所有的FLASH都是扇区擦除的,擦除后全部是FF,写只能将1写成0,不能写成1.
多个字节的操作,先全部读出来(最多是一个扇区512字节),修改,擦除,写入。

FLASH是一种浮栅结构的FET(U盘、SD卡、TF卡、固态硬盘都是),一个FET一个bit,擦除就是将栅极放电,则FET截止,输出1,写入就是给栅极充电,则FET导通,输出0。停电后,栅极电压保持,一般能保持20年以上。
ID:1060328 发表于 2023-1-10 15:57
EEPROM每个字节默认是FFH,所以只能写0将1改成0,擦除是按扇区(512B)

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