老愚童63 发表于 2023-2-22 12:15
PWM，R1越小越好！但必须考虑前级的承载能力！

好的谢谢

happy2058 发表于 2023-2-22 11:17
问一下， VGS 不吃电流是吧，这个 R1 值为什么无关紧要？如果是 PWM 那R1如何先择

PWM，R1越小越好！但必须考虑前级的承载能力！

happy2058 发表于 2023-2-22 11:17
问一下， VGS 不吃电流是吧，这个 R1 值为什么无关紧要？如果是 PWM 那R1如何先择

MOS管是电压控制，GS本身不消耗电流，只有GS结电容吸收很少一部分电流，你是静态驱动，结电容可以忽略。如果动态驱动，结电容就必须考虑。

老愚童63 发表于 2023-2-22 08:07
估计驱动电压低了，将R2增大到100K左右吧。因为是静态驱动，R1的值无关紧要，只要与R2的分压不至于引起MOS ...

问一下， VGS 不吃电流是吧，这个 R1 值为什么无关紧要？如果是 PWM 那R1如何先择

dj3365191 发表于 2023-2-22 10:57
把R1改成1K，R2改成100K试试，应该可以或把R1改成100欧

手上没有100K R1改成1K了，电压上来4.5V 不热了

watsonbu 发表于 2023-2-22 09:12
认同2楼的“如采用无此模式功能的MCU需在P1.0接1K上拉电阻。“
1.为什么24V供电给12V的发热片呢？2.如果MO ...

电阻值不同，发热快慢问题，这样比较通用

把R1改成1K，R2改成100K试试，应该可以或把R1改成100欧

测量VDS电压，是否超过0.05V，超过则栅压过低。

认同2楼的“如采用无此模式功能的MCU需在P1.0接1K上拉电阻。“
1.为什么24V供电给12V的发热片呢？2.如果MOS管导通的情况下，发热片的两端岂不是24V,???

cjjdemon 发表于 2023-2-22 08:06
P1.0增加一个三极管，来控制Q1的开闭，提高Q1栅极电压至12V以上，这样就不会发热啦

这是一个切实可行的办法。改低压驱动为12V驱动。

mos发热情况大部分情况原因是两种：GS间电压处于半开启状态或者DS电流过大，楼主的问题应该是GS间电压过低没有完全开启造成的

按着5楼的做就没问题了。

MOS管的阈值电压是4V，你的电路G极电压经R1,R2分压后不足4V，显然，MOS管处于放大状态，发热难免。可以试着增大R2或者减小R1甚至短路R1看看。

估计驱动电压低了，将R2增大到100K左右吧。因为是静态驱动，R1的值无关紧要，只要与R2的分压不至于引起MOS管的G极电压过低就可以了，甚至可以短路R1或者增大R1。

P1.0增加一个三极管，来控制Q1的开闭，提高Q1栅极电压至12V以上，这样就不会发热啦

MOS管导通发热大是因为你给的栅极电压太低了。。你用的这个管子，栅极电压最好在5V以上，不然导通电阻太大。。

发热可能是激励电压不足。建议MCU的VCC=5V，R1=10~100欧，R2=100K，P1.0设置推挽输出模式，如采用无此模式功能的MCU需在P1.0接1K上拉电阻。

增加漏极电阻Rd试试，改变静态工作点

P1.0电压太低了。