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发布时间: 2024-6-20 11:32
正文摘要:大家好， 用的是STM32 MCU，为了省成本，用了内部Flash模拟EEPROM，Flash最小擦除单位是扇区，一个扇区大小是128K。 用一个扇区模拟EEPROM，当整个扇区写满后，擦除一次。但是规格书上写的是擦除一个128K的扇 ... |
188610329 发表于 2024-6-22 20:13 我不太明白，擦除Flash的时候，CPU还能干别的事吗？不是要等擦除完成吗？难道擦除Flash的时候还能像DMA一样操作？如果能这样，那就好办了 |
| 我理解你的问题是，需要不断读取Flash，但擦除时会停止取指操作，MCU就像是卡了，但你给的手册 P33 的 Figure 4. STM32H743xI/G bus matrix ，看图它分为flash A 和flash B，我理解如果读取FLASHA时，可以对FLASHB进行擦除操作，在擦除的几秒时间内，SysTick_Handler()中断服务函数，uwTick记数器变化应该正常的。我的建议你应该理解吧？ |
lkc8210 发表于 2024-6-21 10:52 这个不是H7xx的芯片吧 |
188610329 发表于 2024-6-22 20:13 STM32H743双bank把他分分应该不影响程序跑起来。 |
| 据说，STM是非常高级的芯片，这玩艺难道还是单线程？你发了擦除指令之后，只能象“落后的51”一样，等他完成了才能获得时钟权限么？不能先干别的事？ |
yzwzfyz 发表于 2024-6-22 00:11 这颗MCU没有页而概念，只有扇区，一个扇区是128K，所以只能按照128K扇区擦除 |
| 擦128K是秒级，擦一页不需要这么多时间。 |
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可以按页擦除啊，一页只有1k 3.3.3 Embedded Flash memory 
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| 可以在程序初始化的时候擦除，就不会影响后面的实时性，当然启动时间也有要求的话，就没办法了 |
npn 发表于 2024-6-21 06:25 这个我知道，其实我问的是擦除时间长影响实时性的问题 |
qq475878026 发表于 2024-6-20 20:38 ST的高端MCU，STM32H743， 2M Flash, 最小擦除粒度确实是128K。 |
| 看你程序使用了多少字节EEPROM，使用数据磨损均匀算法写满再擦。 |
xiaobendan001 发表于 2024-6-20 16:56 STC8系列EEPROM扇区擦除几个ms。 |
| 要擦128K这么多？单位是不是有问题 |
| 怀疑读书不准确，当为ms级。将你读的书贴出来看看。 |
xiaobendan001 发表于 2024-6-20 16:56 秒，确实是1~2s, 规格书上写的，很奇怪很多用大容量的Flash都是怎么用的？ |
| 秒还是毫秒？STM32不会用，STC也不用2秒吧 |
组图打开中，请稍候......
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