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单片机驱动能力不足导致无法直驱MOSFET

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发布时间: 2024-7-26 17:36

正文摘要:

如图,Vgs(th)最大2.5v,而单片机是3.3v的,关键是雾化片是2.4M的雾化片。现在直驱无法驱动,波形失真,这么高的速率a点峰值不到3v,且失真严重。我本来想用推挽驱动试一下,但是NP方式总会有一个压降,而b点在运行 ...

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ID:382454 发表于 2024-8-22 15:29
不建意这样用MCU推,第一力不够。第二很容易把MCU烧坏。一般都是加一个缓冲输出。这种芯片网上大把。
ID:517951 发表于 2024-8-12 08:10
单片机IO口的电平输出只有0-3.3-5V, 驱动MOS管电压范围不够, 可以增加三极管扩展输出电压范围来驱动MOS管.
ID:1130054 发表于 2024-8-1 21:45
推挽输出不应该驱动不足。
ID:401564 发表于 2024-7-27 22:02
1,单片机先改成强推挽模式试一下,如果单片机没有强推挽模式,可以加一个SN74LVC1G17之类缓冲器试一下
2,或者不要接Q2,用示波器先看一下单片机输出的波形行还是不行,有的单片机输出1MHZ以上频率的PWM,出来的波形都有点像正弦波了,MOS管在这个频率下,它就不是一个电压驱动型的元件了,它就是电流型的,是要有一定驱动电流的了
ID:344848 发表于 2024-7-27 13:05
蓝蓝小星星 发表于 2024-7-27 12:27
这是20v耐压的管子,15N10可是100V耐压的。

再串个满足电压、电流要求的三极管即可。
ID:466250 发表于 2024-7-27 12:27
donglw 发表于 2024-7-27 02:12
MOSFET选用AM2326N的Vgs(th)=0.9V,请详见我的帖子:
http://www.51hei.com/bbs/dpj-236102-1.html

这是20v耐压的管子,15N10可是100V耐压的。
ID:57657 发表于 2024-7-27 12:26
devcang 发表于 2024-7-27 11:30
io强推挽,应该能改善一些

我不确定楼主什么单片机,并不是所有型号都有强推挽功能。
ID:277550 发表于 2024-7-27 11:30
io强推挽,应该能改善一些
ID:344848 发表于 2024-7-27 02:12
MOSFET选用AM2326N的Vgs(th)=0.9V,请详见我的帖子:
http://www.51hei.com/bbs/dpj-236102-1.html

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