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单片机产生PWM波后 升压??

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发布时间: 2013-12-22 20:39

正文摘要:

如图所示:因为单片机产生的PWM波电压太低,难以驱动半导体制冷片(额定电压12v,4A),所以设计以下电路,为了使Vi 15v降至Vout得到8v,10v 12v  。 问题1:单片机产生的PWM波可以直接接MOS管吗,中间需要 ...

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ID:120554 发表于 2016-5-13 16:06
mos管托托的
ID:120521 发表于 2016-5-13 13:05
MOS管即可
ID:120465 发表于 2016-5-13 08:47
个人认为开关管使用MOS管比较合适
ID:118284 发表于 2016-5-13 08:35
加一个NPN三极管就可以
ID:59048 发表于 2014-2-9 11:40
1.可以直接接MOS管,其实光耦不仅是起到隔离作用,还有就是后面的控制部分,比如电压可以接的高些(12V或者更高些)。2.当然是MOS管速度快了。可控硅导通容易,但是不能自行关断;IGBT常用于大功率设备,需要专门的驱动,所以速度也受影响。高速小功率建议用MOS管。
ID:58634 发表于 2014-1-10 18:28
个人认为单片机产生的PWM波可以直接接MOS管,如果怕影响到单片机的稳定就加光电耦合器。 开关管用MOS管或IGBT都行,看工作频率和负载是什么。只是个人理解。

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