rundstedt 发表于 2025-8-26 13:12
BJT Vbe有-2.2mV/K的温度系数，电流越大越热，Vbe越小，Ib越大，大电流的管子恶性循环就烧了。所以多管并联 ...

莫名其妙是不是你认为只有bjt才需要均流电阻，mosfet不需要均流电阻？
我知道并认可你提到的知识点，但实际工程中mosfet并联普遍使用了均流电阻，这其中是否有你我所忽略的知识点。
mosfet要不要均流电阻，这个问题可以另外讨论。
本帖讨论的是利用现有的均流电阻增加硬件过流保护，弥补软件保护速度慢的缺陷。

BJT Vbe有-2.2mV/K的温度系数，电流越大越热，Vbe越小，Ib越大，大电流的管子恶性循环就烧了。所以多管并联必须给e极加小电阻垫高Vbe。

MOSFET的Rds是正温度系数的，多管并联电流会自动平衡，你的第一图就莫名其妙，后面引申出来的图就没有讨论价值了。

如果看431内部电路图，就知道如何变化极性，其内部就是荔枝。

三极管改为431的难点是如何把R134电压转换成以ADJ为基准的信号。假如有类似7905现对于7805这类关系的431就好了。

三极管改为431，三极管输入阻抗低于431，且431高输入阻抗则可并归多路信号，很容易用简单电阻隔离。