WL0123 发表于 2025-11-5 15:48
上电逐个实测不同工况点下各项参数编制数据表，编程控制能实现目的，但要求MOS内阻特性一致性好，否则不 ...

是的   

ZSJM 发表于 2025-11-5 15:33
实际使用是有类似的电路, 因为对限流要求精确度不高, 也就+-10%都不是问题. 电池保护芯片就是这样的.不用精 ...

放大倍数那么小 我也不知道什么原因  

wufa1986 发表于 2025-11-5 11:56
运放电容不要乱加，C3C2都是是错误的

是不是输出接一个电阻再接电容

发表于 2025-11-5 11:09
个人看法：从图看，该是比较器，前级放大再后级比较。其用意是过流监测吧？电流超过一定值，比较器翻转给MC ...

是的  我的理解也是那样的   

npn 发表于 2025-11-5 07:33
MOS管温度越高内阻越大，误差可能会超过20%

那这么说的话  就是计算出来的过流点误差很大了  

WL0123 发表于 2025-11-4 16:03
你利用MOS内阻作为电流采样电阻确实新颖。不过根据MOS管导通特性，其导通内阻不是恒定值，在不同VGS、结温 ...

短路保护可以的  

zhuls 发表于 2025-11-4 14:35
半导体有一个特性就是非线性，你拿它来当采样电阻，能准吗？

很多电池保护板都是那样做的  还可以防反接呢  

发表于 2025-11-4 14:21
什么叫做错在哪里，已经验证过了话就把实际输入输出结果说一下，还有就是你这运放前一个是放大作用后一个是 ...

好的   谢谢

wjhhhhh 发表于 2025-11-5 13:01
确实新颖      如果从手册上查到这些参数  或者上电逐个实测不同工况点下各项参数  能不能实现呢？

上电逐个实测不同工况点下各项参数编制数据表，编程控制能实现目的，但要求MOS内阻特性一致性好，否则不适合量产。另外还要考虑相关电路与传统取样电阻方式有无成本优势。

实际使用是有类似的电路, 因为对限流要求精确度不高, 也就+-10%都不是问题. 电池保护芯片就是这样的.不用精确查表.

U4A放大取样电压(你这个电路放大倍数有点小). 然后与VREF比较大小, 结果输出高/低电平给MCU.

WL0123 发表于 2025-11-4 16:03
你利用MOS内阻作为电流采样电阻确实新颖。不过根据MOS管导通特性，其导通内阻不是恒定值，在不同VGS、结温 ...

确实新颖      如果从手册上查到这些参数  或者上电逐个实测不同工况点下各项参数  能不能实现呢？

运放电容不要乱加，C3C2都是是错误的

MOS管的内阻在固定的温度下通过固定电流是固定的，要单片机做一个表格温补查表。

个人看法：从图看，该是比较器，前级放大再后级比较。其用意是过流监测吧？电流超过一定值，比较器翻转给MCU。

MOS管温度越高内阻越大，误差可能会超过20%

你利用MOS内阻作为电流采样电阻确实新颖。不过根据MOS管导通特性，其导通内阻不是恒定值，在不同VGS、结温和DS电流时内阻都不同。何况其内阻变化虽然是毫欧级，但比值确很大，基本不可能精确计算出不同工况下过流点。用作短路保护作粗略取样也许能行。

半导体有一个特性就是非线性，你拿它来当采样电阻，能准吗？

什么叫做错在哪里，已经验证过了话就把实际输入输出结果说一下，还有就是你这运放前一个是放大作用后一个是比较作用，5/3.2这式子列不出来的。MOS的内阻不是恒定的，受节温度和漏极电流大小影响的

（VAMP=5V）